Явление переключения с памятью в структурах на основе сверхионных халькогенидах Ag-(As-S-Ge)
|
СтатусДиссертация была зашищена 25 февраля 2011Утверждена Национальным Советом 31 марта 2011 Автореферат – 0.41 Mb / на румынском |
Ключевые слова
халькогенидные стекла, фоторастворимость, кинетика, твердый электролит, электронное переключение, программируемая памятьАннотация
Работа посвящена изучению процесса формирования сверхионных материалов при фоторастворении Ag в халькогенидных стеклах (ХС) As-S-Ge, разработке электронных приборов переключения с энергонезависимой памятью на основе этих материалов.
Предложен и реализован новый метод изучения кинетики процесса фоторастворения металлов (Ag) в ХС. Он состоит в косвенном определении толщины слоя Ag, израсходаного в реакции с ХС, путем регистрации изменения оптического пропускания структуры Ag/ХС в ИК-области спектра в процессе экспозиции.
Комплексное изучение кинетики фоторастворения Ag в ХС, а также эволюции спектров оптического пропускания структур Ag/ХС, позволило выявить некоторые новые закономерности этого уникального явления, сильно зависящие от температуры и состава ХС. Впервые были экспериментально подтверждены теоретические расчеты и выводы Эллиота, касающиеся механизма формирования твердого электролита.
Впервые проведено систематическое изучение процесса фоторастворения Ag в тройных ХС As-S-Ge и формирование тетраэдрических твердых электролитов на их основе, определена зависимость процесса формирования сверхионного материала от состава стекла. На основе полученных электролитов, были изготовлены и охарактеризованы структуры переключения с памятью. Выявлено влияние геометрии элементов, химического состава твердого электролита и температуры на порог переключения, и на другие функциональные параметры структур с энергонезависимой памятью. Установлено, что твердый электролит на основе (GeS4)0.33 (AsS3)0.67 обладает оптимальными свойствами для изготовления переключателей с памятью.
Разработан газосигнализатор, состоящий из электронного переключателя на основе твердого электролита интегрированного с халкогенидным газовым датчиком.
Диссертация состоит из введения, четырех основных глав, выводов и библиографии, состоящей из 123 литературных ссылок. Работа изложена на 108 страницах, содержит 51 рисунка и трех таблиц. Полученные результаты опубликованы в 13 научных работах.
Официальные оппоненты
- Mihail Iovu
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики - Aurelian Popescu
doctor habilitat în ştiinţe fizico-matematice, National Institute of Research and Development for Optoelectronics INOE2000, România
Члены Ученого Совета
- Leonid Culiuc, председатель
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики - Veaceslav Ursachi, секретарь
доктор хабилитат, доцент, Институт прикладной физики - Andrei Andrieş,
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики - Teodor Şişianu, член
доктор хабилитат, профессор - Petru Gaşin, член
доктор хабилитат, профессор, Государственный Университет Молдовы
Диссертации
