Фононная инженерия в наноразмерных структурах
|
СтатусДиссертация была зашищена 20 мая 2016Утверждена Национальным Советом 5 июля 2016 Автореферат – 5.94 Mb / на румынском – 5.89 Mb / на румынском |
Ключевые слова
фононы, электроны, тепловой транспорт, полупроводниковые наноструктуры, нанослой, нанонить, графен, фононная инженерия, континуальный подход, динамика кристаллической решеткиАннотация
Научный реферат диссертации на соискание ученой степени доктора хабилитат физических наук (на основе опубликованных научных работ), Кишинев, 2016. Введение, 4 Главы, Общие выводы и рекомендации, 176 cсылок, 91 cтраница, 25 рисунков, 2 таблицы. На основе полученных результатов опубликовано 150 научных работ, включая монографию, две главы в монографии, 6 обзорных и 33 исследовательские статьи в международных журналах, индексируемых ISI Web of Science, 12 статей в национальных научных журналах и более 100 тезисов на международных и национальных конференциях.
Область исследований: физика наносистем.
Цель и задачи: теоретическое развитие концепции фононной инженерии в одно- и двумерных многослойных полупроводниковых наноструктурах и графене для улучшения их теплопроводящих и электропроводящих свойств.
Научная новизна и оригинальность: в работе развита концепция фононной инженерии в многослойных полупроводниковых наноструктурах и графене, которая представляет собой принципиально новый метод улучшения теплопроводящих и электропроводящих свойств наноструктур путем целенаправленного управления их фононными свойствами; в рамках различных моделей колебаний кристаллической решетки детально исследованы фононные состояния в рассматриваемых наноструктурах; развита теория теплового транспорта, которая объясняет как высокие значения решеточной теплопроводности графена, так и ее сильную зависимость от пространственных размеров слоя, концентрации дефектов кристаллической решетки и качества границ слоя.
Теоретическая значимость: разработаны точные модели фононного транспорта в многослойных полупроводниковых наноструктурах и графене; теоретически исследованы и объяснены особенности фононных процессов в таких структурах.
Прикладная ценность полученных результатов связана с возможным улучшением рабочих характеристик современных электронных устройств путем изменения их фононных свойств.
Официальные оппоненты
- Anatolie Casian
доктор хабилитат, профессор - Igor Belousov
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики - KHITUN Alexander
PhD, profesor, Universitatea din California – Riverside, SUA
Члены Ученого Совета
- Petru Hadji, председатель
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики - Vasile Tronciu, секретарь
доктор хабилитат, профессор - Valeriu Canţer (decedat), член
доктор хабилитат, профессор, Институт Электронной Инженерии и Нанотехнологий имени Д. Гицу - Florentin Paladi, член
доктор хабилитат, профессор, Государственный Университет Молдовы - Mihail Macovei, член
доктор хабилитат, доцент - Alexandru Barsuc, член
доктор хабилитат, профессор - Albina Nikolaeva, член
доктор хабилитат, профессор, Институт Электронной Инженерии и Нанотехнологий имени Д. Гицу
Диссертации
