Оптические и фотоэлектрические явления в анизотропных материалах
|
СтатусДиссертация была зашищена 26 апреля 2019Утверждена Национальным Советом 9 июля 2019 Автореферат – 0.86 Mb / на румынскомДиссертацияCZU 535.2/.3 (043.2)
|
Ключевые слова
анизотропия, двулучепреломление, гирация, дихроизм, гетероструктуры, квантовые ямы, оптические фильтры, фоторецепторыАннотация
Структура работы. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, выводов, библиографии из 151 наименований, 7-и приложений, 139 страниц основного текста, включая 78 рисунков и 2 таблицы. Полученные результаты опубликованы в 50-х работах.
Область исследования состоит в изучении анизотропии и спектроскопии экситонных поляритонов двулучепреломляющих кристаллов ZnAs2, наноструктур In0,3Ga0,7As/GaAs и оценки основных оптических свойств и констант.
Целью работы является изучение анизотропии низкосимметричных полупроводниковых кристаллов, изучение явлений на поверхности кристаллов и границ раздела с металлами и полупроводниками, изучение параметров и свойств In0,3Ga0,7As/GaAs структур с квантовыми ярмами, с целью разработки оптоэлектронных устройств.
Научная новизна и оригинальность заключается в характеристике оптических свойств двулучепреломляющих материалов и структур с квантовыми ямами и определении основных оптических параметров с высоким разрешением. Оригинальность предлагаемых решений заключается в определении возможности разработки оптоэлектронных устройств, чувствительных к поляризации оптического излучения, используемых в системах оптической связи и в других областях.
Решенная научная задача заключается в определении и вычислении основных оптических параметров экситонных поляритонов в двулучепреломляющих кристаллах ZnAs2 с симметрией C2h5 и электронных переходах в основной полосе поглощения материалов с оптической анизотропией и гетероструктур с квантовыми ямами, с целью разработки оптоэлектронных устройств.
Теоретическая значимость состоит в расчете спектров экситонных поляритонов ZnAs2 на основе дисперсионных соотношений, определение эффективных масс электронов и дырок, определение фундаментальных оптических параметров с использованием соотношений Крамерса-Кронига для кристаллов ZnAs2 и гетероструктур с квантовыми ямами.
Прикладное значение состоит в демонстрации возможности создания оптоэлектронных устройств, чувствительных к линейному поляризованному излучению, на основе анизотропных материалов ZnAs2, а также в объективной оценки качества и параметров гетероструктур с квантовыми ямами используя методы оптической спектроскопии.
Официальные оппоненты
- Mihail Iovu
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики - Emil Rusu
доктор хабилитат, доцент, Институт Электронной Инженерии и Нанотехнологий имени Д. Гицу
Члены Ученого Совета
- Leonid Culiuc, председатель
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики - Ion Cojocaru, секретарь
доктор - Dumitru Ţiuleanu, член
доктор хабилитат, профессор, Технический Университет Молдовы - Veaceslav Ursachi, член
доктор хабилитат, доцент, Институт прикладной физики - Vladimir Anikin, член
доктор хабилитат, доцент, - Igor Evtodiev, член
доктор хабилитат, доцент, Государственный Университет Молдовы
Диссертации
