|
СтатусДиссертация была зашищена 20 мая 2022Утверждена Национальным Советом 1 июля 2022 Автореферат![]() ДиссертацияCZU 519.6 (043.3)
|
Структура диссертации: Диссертация написана на румынском языке и содержит введение, четыре главы, общие выводы и рекомендации, библиографию из 113 наименований, 3 приложений, 126 страниц с основным текстом, 4 рисунка, 16 таблиц. Результаты опубликованы в 14 научных статьях.
Цель и задачи работы:Разработка и теоретическая аргументация численных алгоритмов математического моделирования нелинейных процессов в полупроводниковом устройстве с выявлением наиболее эффективных. И в качестве целей: установление основы численного моделирования, разработка концептуальной модели с использованием соответствующих математических или графических обозначений, реализация математической модели, проверка и валидация разработанных численных алгоритмов, проведение численных экспериментов, генерирующих результаты, анализ и интерпретация полученных результатов.
Научная новизна и оригинальность: Проблема математического моделирования нелинейных процессов была и остается одной из самых сложных проблем физики полупроводников на том основании, что нелинейные процессы плохо контролируются. В диссертации были разработаны, теоретически аргументированы и определены наиболее эффективные численные алгоритмы, математически моделирующие нелинейные процессы в полупроводниковом устройстве, которые предполагали решение системы уравнений с частичными, нелинейными производными и с двумя типами граничных условий, действующих на непересекающиеся части.
Полученные результаты: Решена проблема математического моделирования нелинейных процессов в полупроводниковом устройстве. Результат который приводит к расширению области решаемых нелинейных задач, дополняя алгоритмами решения систем с частичными, нелинейными производными и двумя типами граничных условий, действующих на непересекающиеся части. Область применения этих результатов широка как в теоретической плане (разработка еще более эффективных алгоритмов математического моделирования нелинейных процессов в полупроводниковых устройствах), так и в практической (с внедрением разработанных в ходе исследования алгоритмов путем создания соответствующего программного обеспечения, которое может быть использовано для реального моделирования полупроводниковых приборов).
Теоретическая значимость и прикладная ценность работы: Расширение области исследований и применения математического моделирования для решения нелинейных задач, случай полупроводникового устройства. Полученные результаты могут быть основой для факультативного курса магистратуры.
Внедрение научных результатов: Научные результаты будут использованы в процессе обучения на факультетах математики и информатики, физики и инженерии Государственного Университета Молдовы в рамках преподавания специальных дисциплин. Разработанные алгоритмы были реализованы в виде программ MatLab.