Obţinerea, doparea şi cercetarea spectrului energetic al impurităţilor monocristalelor seleniurii de zinc de structură perfectă
|
StatutTeza a fost susţinută pe 31 martie 2010 în CSSşi aprobată de CNAA pe 3 iunie 2010 Autoreferat – 0.48 Mb / în română – 0.52 Mb / în rusă |
Cuvinte Cheie
eleniură de zinc, creştere a cristalelor, dopare, azot, natriu, fotoluminescenţă, electroconductibilitate, defecte impuritare şi proprii, exciton, compex exciton-impuritateAdnotare
Teza e scrisă în limba rusă şi constă din introducere, cinci capitole, concluzii generale şi lista lucrărilor citate. Lucrarea conţine 116 раgini de text, 58 figuri, 8 tabele, asigurarea bibliografică conţine 123 denumiri. Rezultatele obţinute sunt publicate în 12 lucrări ştiinţifice.
Teza de doctor este consacrată studierii influenţei factorilor tehnologici asupra perfecţiunii structurale şi purităţii cristalelor de ZnSe crescute prin metoda transportului din fază cu vapori. Au fost efectuate cercetări ale proprietăţilor electrice şi luminescente ale cristalelor de ZnSe dopate cu I, Al, N, H, Cl, Ca şi Na.
În rezultatul elaborării tehnologiei de creştere a monocristalelor de ZnSe a fost stabilit, că folosirea profilului de temperatură abrupt propus, cu minimul localizat în regiunea hotarului între germene şi partea de jos a fiolei precum şi un gradient de temperatură în regiunea de cristalizare de până la 0,6C/cm şi a temperaturii de creştere de 9801060С dă posibilitate de a creşte monocristale cu volumul de până la 3 cm3, fără hotare între subfaţete şi micle, cu densitatea dislocaţiilor de 030 mm-2.
A fost stabilit că incorporarea impurităţii de azot în subreţeaua Se duce la formarea centrelor acceptoare NSe, cu energia de activare 1045 meV, care compensează imputitatea donoară necontrolabilă în cristalele de n-ZnSe şi schimbă probabilitatea canalelor de recombinare radiativă cu participarea impurităţilor necontrolabile.
Introducerea natriului în subreţeaua de Zn duce la formarea centrelor acceptoare NaZn, cu energia de activare 1053 meV, precum şi a centrelor donoare Nai, NaZnVSe şi NaiVZn cu energiile de activare 183 meV, 353 meV şi 529 meV corespunzător, care determină radiaţia în spectrul de FL de prag a cristalelor de ZnSe. Excesul de selen în cristalele de ZnSe dopate cu impuritatea de Na în procesul de creştere, stabilizează termodinamic centrele acceptoare de neechilibru NaZn.
Referenţi Oficiali
- Leonid Culiuc
doctor habilitat, profesor universitar, Institutul de Fizică Aplicată - Emil Rusu
doctor habilitat, conferenţiar cercetător, Institutul de Inginerie Electronica şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"
Membrii Consiliului Ştiintific
- Petru Gaşin, preşedinte
doctor habilitat, profesor universitar, Universitatea de Stat din Moldova - Dormidont Şerban, secretar
doctor habilitat, Institutul de Fizică Aplicată - Ion Tighineanu, membru
doctor habilitat, profesor universitar, Institutul de Matematică şi Informatică - Nicolae Sîrbu, membru
doctor habilitat, profesor universitar, Universitatea Tehnică a Moldovei - Alexandru Cliucanov, membru
doctor habilitat, profesor universitar, Universitatea de Stat din Moldova - Ernest Aruşanov,
doctor habilitat, profesor universitar, Universitatea de Stat din Moldova
Teze
Acte Normative
