Comisia de atestare
Comisia de acreditare
Comisiile de experţi
Dispoziţii, instrucţiuni
Acte normative
PREGĂTIREA CADRELOR
Nomenclator
Instituţii
Consilii
Seminare
Teze		 Conducători de doctorat
Deţinători de grad
Doctoranzi
Postdoctoranzi
CNAA logo

 română | русский | english


Modelarea caracteristicilor electronice ale tranzistorilor de putere si convertorilor fotoelectrici în aproximaŃia liniară-hiperbolică


Autor: Penin Alexandru
Gradul:doctor în tehnică
Specialitatea: 05.27.01 - Electronica corpului solid, microelectronică, nanoelectronică
Anul:2011
Conducător ştiinţific: Anatolie Sidorenko
doctor habilitat, profesor universitar, Institutul de Inginerie Electronica şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"
Instituţia: Institutul de Inginerie Electronica şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"
CSS: DH 24-05.27.01-27.03.08
Institutul de Inginerie Electronica şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"

Statut

Teza a fost susţinută pe 4 februarie 2011 în CSS
şi aprobată de CNAA pe 31 martie 2011

Autoreferat

Adobe PDF document – 0.34 Mb / în română
Adobe PDF document – 0.38 Mb / în rusă

Cuvinte Cheie

celule solar, tranzistor, caracteristica volt -amperică, aproximaţie, calcul regimului, geometria proiectivă, putere maximă de iesire

Adnotare

Structura tezei: introducere, cinci capitole, concluzii generale si recomandări, bibliografie din 101 titluri, 170 pagini de text de bază, 5 tabele, 85 figuri.

Numărul de publicaţii la temă: rezultatele obţinute sunt publicate în 18 lucrări stiinţifice si în 2 brevete.

Domeniul de cercetare: electronică de putere.

Scopul lucrării stiinţifice: Cercetarea si dezvoltarea adecvată de aproximaţie a datelor fisei CVA a tranzistorilor, BS si metodă de evaluare a eficacităţii regimurilor lor utilizate în elaborarea de dispozitive electronice de putere.

Obiectivele studiului: de justificat definirea abaterilor si compararea eficienţei regimurilor pentru dipolii activi cu CVA liniare; pentru dipolii activi (pe exemplul propus de convertoare de tensiune cvasi-rezonant) cu neliniaritatea CVA; de a dezvolta asemănarea CVA a dispozitivelor semiconductoare si convertorului propus cvasi-rezonant de tensiune pentru o descriere unificată si calculul sistemei de alimentare cu energie; de elaborat o abordare de bază, care ar da o întreagă clasă convenabilă pentru practica de inginerie a dependenţei pentru a descrie CVA a diferitor dispozitive semiconductoare; de dat exemple de aproximaţie a CVA a diferitor tranzistore; de aplicat rezultatele obţinute pentru a evalua eficacitatea regimurilor BS.

Noutatea si originalitatea stiinţifică: aplicarea metodelor de geometrie proiectivă la analiza regimurilor de circuite electrice; argumentarea modelului de generator echivalent convertorului de tensiune cvasi-rezonant ca un dipol activ cu auto-limitare a curentului; abordare de bază pentru o întreagă clasă de expresii care să reprezinte diferite caracteristici pe baza CVA a dipolului activ, cu o auto-limitare a curentului; aplicarea si dezvoltarea a similitudinii caracteristicilor de convertor de tensiune cvasi-rezonant si a asa dispozitive semiconductoare, cum ar fi tranzistorii si BS.

Semnificaţia teoretică si valoarea aplicativă a tezei: aplicarea de noi instrumente matematice în teoria circuitelor electrice; dezvoltarea de modele de dipoli activi, clasificare CVA tipice si regimurilor caracteristice; descrierii unificate si argumentate a caracteristicilor si eficacităţii regimurilor convertorilor de tensiune, tranzistorilor si BS; metode simple de calcul (calcul analitic direct) a regimurilor convertorilor de tensiune, tranzistorilor si BS; metodelor de evaluare a eficacităţii regimurilor ca o abatere de la regimul de putere maximă a BS, convertorului de tensiune; eventuala aplicare de microcontrolere simple la organizarea sistemelor directe de control digital, putere.