Аттестационная комиссия
Комиссия по аккредитации
Комиссия по экспертов
Распоряжения, инструкции
Нормативные акты
Номенклатура
Организации
Ученые советы
Семинары
Диссертации
Научные руководители
Ученые
Докторанты
Постдокторанты
CNAA logo

 română | русский | english


Процессы захвата и рекомбинации неравновесных носителей заряда в аморфных слоях As-Se и As(Sb)2Se3:Sn


Автор: Harea Diana
Степень:доктор физико-математических наук
Специальность: 01.04.10 - Физика и инженерия полупроводников
Год:2010
Научный руководитель: Mihail Iovu
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики АНМ
Институт:
Ученый совет:

Статус

Диссертация была зашищена 30 июня 2010
Утверждена Национальным Советом 6 октября 2010

Автореферат

Adobe PDF document0.42 Mb / на румынском

Ключевые слова

аморфный полупроводник, тонкие плёнки, показатель преломления, процесс захвата, процесс рекомбинации, остаточное фотопроводимость, фотоэлектрическая ёмкость, плотность локализированных состояний, распределение локализированных состояний, голографическая запись, фоточувствительный элемент

Аннотация

Диссертация была оформлена в г. Кишинёве в 2010г, написана на румынском языке, содержит введение, 4 главы, выводы, 140 литературные ссылки, 108 страниц основного текста, 57 рисунков, 5 таблиц. Диссертация посвящена комплексному исследованию оптических и фотоэлектрических свойств аморфных слоев халькогенидных систем As100-xSex (x=40÷98), As2Se3:Snx и Sb2Se3:Snx с концентрацией 0÷10.0 at.% Sn.

Экспериментально было установлено, что с увеличением концентрации As в халькогенидной системе As100-хSex и концентрации Sn в As2Se3:Snx и Sb2Se3:Sn порог оптического поглощения смещается в красную область спектра. Из спектров оптического поглощения были определены значения коэффициентов оптического преломления, была установлена их зависимость от состава аморфного слоя, изменения коэффициента преломления под воздействием излучения и тпрмической обработки. В аморфных слоях As100-хSex был изучен эффект фотопотемнения и процесс записи голографической информации, экспериментальные данные были сопоставлены с изменением коэффициента преломления.

Экспериментальные результаты касающиеся спектров стационарной фотопроводимости и релаксации фототока были использованы для расчетов функции распределения локализованных состояний (DOS) и энергетических параметров аморфных слоев As100-хSex и As2Se3:Sn. Полученные экспериментальные данные показывают, что характерное время захвата носителей электрического заряда на глубоких ловушках в аморфных слоях As2Se3 увеличивается с увеличением количества примеси Sn. Состав аморфной пленки, концентрация примесей Sn и дополнительное освещение влияют на форму кривых релаксации фотоэлектрического тока и функции распределения DOS.

Спад остаточной фотопроводимости As2Se3:Sn с типичной постоянной времени τ=2,2÷25,3 c. описан затянутой экспоненциальной функцией. Эффект остаточной фотопроводимости возникает благодаря существованию в изучаемых материалах состояний глубоко локализованных дефектов. Широкое распределение состояний дефектов по энергии с центром при 1,4 eV, у которых энергия возбуждения меньше чем ширина запрещенной зоны были замечены во всех аморфных слоях As2Se3:Sn. Были оценены основные параметры этих локализованных состояний, их концентрация, энергетическое положение максимума распределения, полуширина, и т.д. Экспериментальные результаты интерпретированы в рамках модели дефектов D+ и D- в соотношении с отрицательной энергией. Для определения функции DOS также были использованы экспериментальные данные касающиеся кинетики релаксации фотопроводимости. Было установлено, что для всех аморфных слоев системы As100-хSex энергетическое распределение локализированных состояний g(E) характеризуется широким максимумом, находящимся в близи середины запрещенной зоны. Оценки показывают, что для аморфных слоев As100-хSex с составом x>60, имеет место немонотонное изменение концентрации ловушек в зависимости от состава x=72÷80. В области данного максимума концентрация ловушек Nt=2,4x10-17 cm-3. Было доказанно, что в этой области преобладают пара координированных дефектов типа As4 +, Se1-.

На основе исследуемых материалов были сформулированы практические рекомендации для использования аморфных слоев халькогенидной системы As100-хSex в качестве записывающих сред оптической и голографической информации. Аморфные слои As2Se3:Sn могут быть использованы в качестве фоточувствительных элементов фотонных детекторов.( (Patent MD No. 3548). Основные результаты диссертации были опубликованы в 45 научных работах.