română | русский | english

Автор: Vadim Sirkeli Степень: доктор физико-математических наук Специальность:  01.04.10 - Физика и инженерия полупроводников Год: 2005 Научный руководитель: Dmitrii Nedeoglo доктор хабилитат, профессор, Государственный Университет Молдовы Институт:

Статус Диссертация была зашищена 21 сентября 2005 Утверждена Национальным Советом 22 декабря 2005 Автореферат – 0.35 Mb / на румынском – 0.39 Mb / на русском

Аннотация

Диссертационная работа посвящена комплексному исследованию электрических и люминесцентных свойств кристаллов ZnSe, легированных золотом в процессе их отжига в расплавах Zn+Au и Se+Au с различной концентрацией легирующей примеси.

По результатам электрических измерений впервые установлено, что примесь золота проявляет амфотерные свойства в кристаллах n-ZnSe:Zn:Au. При малой концентрации золота (< 0,5 ат.%) в расплаве Zn+Au атомы золота преимущественно внедряются в междуузлия кристаллической решётки ZnSe и создают электрически активные доноры Aui с энергией активации ED(Aui) = (22 ± 2) мэВ. В спектрах ФЛ таких кристаллов впервые выявлена доминирующая I -линия (446,8 нм), представляющая собой суперпозицию двух линий излучения: экситонов, связанных на собственных (VSe) и примесных дефектах (Aui). Увеличение степени легирования кристаллов ZnSe (более 1 ат.% Au в расплаве Zn+Au) приводит к формированию простых дефектов замещения AuZn акцепторного типа и ассоциативных центров свечения (AuZn-Aui), (AuZn-DZn) и/или (VZn-Aui). Показано, что ассоциативные центры (AuZn-Aui) являются ответственными за появление в спектрах ФЛ кристаллов n-ZnSe:Zn:Au полосы примесного излучения при 458,2 нм (А-полоса), интенсивность которой растёт на фоне уменьшения интенсивности полосы экситонного излучения по мере увеличения степени легирования образцов, а ассоциативные центры (AuZn-DZn) и (VZn-Aui) ответственны за длинноволновое (599 нм и 628 нм) и инфракрасное (878 нм) излучение соответственно. Показано, что легирование кристаллов ZnSe золотом из расплава Se+Au приводит к преимущественному формированию акцепторных примесных дефектов AuZn, ответственных за интенсивное излучение в голубой области спектра ( I -линия при 447,2 нм).

На основании исследования температурных зависимостей коэффициента Холла и подвижности электронов в кристаллах n-ZnSe:Zn:Au установлено, что атомы золота при внедрении в цинковые узлы кристаллической решётки селенида цинка создают простые однозарядные электрически и оптически активные акцепторные центры замещения Au с электронной конфигурацией d10.

Официальные оппоненты

• Ion Tighineanu
  доктор хабилитат, профессор, Институт математики и информатики
• Leonid Culiuc
  доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики

 Диссертации