Аттестационная комиссия
Комиссия по аккредитации
Комиссия по экспертов
Распоряжения, инструкции
Нормативные акты
Номенклатура
Организации
Ученые советы
Семинары
Диссертации
Научные руководители
Ученые
Докторанты
Постдокторанты
CNAA logo

 română | русский | english


Явление переключения с памятью в структурах на основе сверхионных халькогенидах Ag-(As-S-Ge)


Автор: Ion Stratan
Степень:доктор физико-математических наук
Специальность: 01.04.10 - Физика и инженерия полупроводников
Год:2011
Научный руководитель: Dumitru Ţiuleanu
доктор хабилитат, профессор, Технический Университет Молдовы
Институт: Технический Университет Молдовы
Ученый совет: DH 02-01.04.10-27.03.08
Институт прикладной физики АНМ

Статус

Диссертация была зашищена 25 февраля 2011
Утверждена Национальным Советом 31 марта 2011

Автореферат

Adobe PDF document0.41 Mb / на румынском

Ключевые слова

халькогенидные стекла, фоторастворимость, кинетика, твердый электролит, электронное переключение, программируемая память

Аннотация

Работа посвящена изучению процесса формирования сверхионных материалов при фоторастворении Ag в халькогенидных стеклах (ХС) As-S-Ge, разработке электронных приборов переключения с энергонезависимой памятью на основе этих материалов.

Предложен и реализован новый метод изучения кинетики процесса фоторастворения металлов (Ag) в ХС. Он состоит в косвенном определении толщины слоя Ag, израсходаного в реакции с ХС, путем регистрации изменения оптического пропускания структуры Ag/ХС в ИК-области спектра в процессе экспозиции.

Комплексное изучение кинетики фоторастворения Ag в ХС, а также эволюции спектров оптического пропускания структур Ag/ХС, позволило выявить некоторые новые закономерности этого уникального явления, сильно зависящие от температуры и состава ХС. Впервые были экспериментально подтверждены теоретические расчеты и выводы Эллиота, касающиеся механизма формирования твердого электролита.

Впервые проведено систематическое изучение процесса фоторастворения Ag в тройных ХС As-S-Ge и формирование тетраэдрических твердых электролитов на их основе, определена зависимость процесса формирования сверхионного материала от состава стекла. На основе полученных электролитов, были изготовлены и охарактеризованы структуры переключения с памятью. Выявлено влияние геометрии элементов, химического состава твердого электролита и температуры на порог переключения, и на другие функциональные параметры структур с энергонезависимой памятью. Установлено, что твердый электролит на основе (GeS4)0.33 (AsS3)0.67 обладает оптимальными свойствами для изготовления переключателей с памятью.

Разработан газосигнализатор, состоящий из электронного переключателя на основе твердого электролита интегрированного с халкогенидным газовым датчиком.

Диссертация состоит из введения, четырех основных глав, выводов и библиографии, состоящей из 123 литературных ссылок. Работа изложена на 108 страницах, содержит 51 рисунка и трех таблиц. Полученные результаты опубликованы в 13 научных работах.