1. SITUAŢIA CURENTĂ ÎN STUDIEREA COMPUŞILOR SEMICONDUCTORI A3B5 CU APLICAI ÎN SPECTROSCOPIA THz, EMISIA DE ELECTRONI ÎN CÂMP, LUMINESCENŢA ŞI REZONANŢA PLASMONICĂ
1.1. Generarea undelor terahertz de la suprafaţa semiconductorilor
1.2. Surse de terahertz în baza semiconductorilor A3B5
1.3. Rectificarea optică de la suprafaţă
1.4. Catodoluminescenţa în microscopul electronic cu baleiaj: aplicarea la structurile semiconductoare de dimensiuni mici
1.5. Semiconductoare A3B5 dopate cu pământuri rare: creşterea, proprietăţile şi fabricarea dispozitivelor elecroluminescente
1.6. Studiul rezonanţei plasmonice
1.7. Studiul emisiei cu efect de câmp
1.8. Concluzii
2. METODE DE OBŢINERE ŞI CERCETARE A STRUCTURILOR POROASE PE BAZA SEMICONDUCTORILOR A3B5
eee
2.1. Fabricarea structurilor poroase prin metoda electrochimică
2.2. Iradierea structurilor semiconductoare poroase cu ioni de Kr+15 şi Xe+23
2.3. Doparea structurilor semiconductoare poroase cu metale de tranziţie i pământuri rare
2.4. Caracterizarea materialelor prin metoda fotoluminescenţei
2.6. Caracterizarea materialelor prin emisia undelor terahertz
2.7. Metodica caracterizării punctelor metalice în prezenţa rezonanţei plazmonice de suprafaţ ă
2.8. Metodica caracterizării materialelor prin emisia de câmp
2.9. Concluzii
3. LUMINESCENŢA STRUCTURILOR POROASE ALE COMPUŞILOR A3B5 ŞI ALE COMPOZITELOR LUMINOFORE PREPARATE ÎN BAZA LOR
3.1. Spectroscopia catodoluminescenţei în nanostructuri de InP
3.2. Microanaliza catodoluminescenţei structurilor poroase GaP
3.3. Materiale nanocompozite în baza templatelor de GaP dopate cu Er3+ şi Eu3+ pentru aplicaţii optoelectronice
3.4. Materiale luminofore nanocompozite în baza templatelor de GaAs dopate cu Er3+ şi Eu3+
3.5. Caracterizarea catodoluminescenţei materialelor preparate în baza structurilor poroase de GaP dopate cu pământuri rare
3.6. Rezonanţa plasmonică de suprafaţă la nanoparticulele de Ag depuse în interiorul templatelor poroase de GaP
3.7. Concluzii
PROPRIETĂŢILE NELINEARE ŞI EMISIA ELECTRONICĂ CU EFECT DE CÂMP ÎN COMPUŞII A3B5 POROŞI
4.1. Tehnica de obţinere a membranelor poroase subţiri de InP
4.2. Studiul conductivităţii în membranele nanoporoase de InP şi a mobilităţii electronilor în aceste nanostructuri folosind spectroscopia terahertz
4.3. Efectul optic neliniar amplificat în membranele de InP (100)
4.4. Emisia terahertz în membrane de InP (111) poroase obţinute prin tratament electrochimic şi iradiere ulterioară cu ioni de gaze inerte (Kr, Xe) la energii mari
4.5. Emisia electronică cu efect de câmp în semiconductori cu bandă interzisă îngustă (InAs)
4.6. Concluzii
CONCLUZII GENERALE ŞI RECOMANDĂRI
Официальные оппоненты
Dmitrii Nedeoglo доктор хабилитат, профессор, Государственный Университет Молдовы
Traian Dascalu doctor, INFLPR, Măgurele, Romania
Члены Ученого Совета
Petru Gaşin, председатель доктор хабилитат, профессор, Государственный Университет Молдовы
Dormidont Şerban, секретарь доктор хабилитат, Институт прикладной физики
Eugen Gheorghiţă, член доктор хабилитат, профессор, Тираспольский государственный университет
Valerian Dorogan, член доктор хабилитат, профессор, Технический Университет Молдовы
Emil Rusu, член доктор хабилитат, доцент, Научно-практический институт садоводства, виноградарство и пищевых технологий
Mihail Caraman, член доктор хабилитат, профессор, Государственный Университет Молдовы