Аттестационная комиссия
Комиссия по аккредитации
Комиссия по экспертов
Распоряжения, инструкции
Нормативные акты
Номенклатура
Организации
Ученые советы
Семинары
Диссертации
Научные руководители
Ученые
Докторанты
Постдокторанты
CNAA logo

 română | русский | english


Оптические свойства и структуры энергетических зон кристаллов CdGa2S(Se)4, PbGa2S4, AgAsS2


Автор: Parvan Vladimir
Степень:доктор физико-математических наук
Специальность: 01.04.10 - Физика и инженерия полупроводников
Год:2016
Научный руководитель: Nicolae Sîrbu
доктор хабилитат, профессор, Технический Университет Молдовы
Научный консультант: Veaceslav Ursachi
доктор хабилитат, доцент, Институт прикладной физики АНМ
Институт: Технический Университет Молдовы

Статус

Диссертация была зашищена 23 июня 2016
Утверждена Национальным Советом 6 октября 2016

Автореферат

Adobe PDF document1.95 Mb / на румынском

Диссертация

CZU 621.315.592

Adobe PDF document 11.41 Mb / на румынском
150 страниц


Ключевые слова

двулучепреломления, пространственная дисперсия, оптические свойства, экситон, поляритон, структура энергетических зон, спектры отражения модулированные по длине волны, параметры экситонных состояний, постоянная Ридберга экситона, показатель преломления, изотропная точка, коэффициент экстинкции, реальная и мнимая часть диэлектрической проницаемости, эффективная масса электронов и дырок, приведенная и трансляционная масса экситонa

Аннотация

Диссертационная работа написана на румынском языке и состоит из введения, трёх глав, общих выводов, одного приложения и списка из 141 цитируемых публикаций. Работа содержит 150 страниц текста, 113 рисунков, 18 таблиц и 68 формул.

Диссертационная работа посвящена: 1. Исследованию явления двулучепреломления в материалах CdGa2S(Se)4, PbGa2S4, AgAsS2 и определению потенциальных возможностей для создания устройств на основе исследованных материалов. 2. Исследованию экситонных состояний, которые позволяют получить более полную информацию об основных явлениях распространения световых волн в кристаллах, входного и выходного излучения в кристалле, которые определяют параметры оптоэлектронных приборов. 3. Исследованию спектров поглощения в области собственного поглощения. Определение структуры энергетических зон, той же серии кристаллов, которые представляют перспективы для использования в различных оптоэлектронных устройствах. В том числе и как поглощающий слой в солнечных преобразователях энергии.

Основная цель работы состояла в комплексном исследовании фундаментальных свойств CdGa2S(Se)4, PbGa2S4, AgAsS2; их оптических параметров n, k, ε1, ε2; параметров экситонных состояний R, Eg, M, μ, εb, mc, mv, ωLT, Δcf, Δso, и определение энергетических зон, ответственных за переходы в глубине основной полосы поглощения.

В данной работе впервые представлены экситонные состояния n=1, 2, и 3 экситонов Френкеля и Ванье–Мотта кристаллов PbGa2S4, для остальных кристаллов определены экситонные состояния n=1, 2, и 3 экситонов Ванье–Мотта.

В результате проделанной работы были решены следующие научные проблемы: исследование анизотропии оптических свойств в области начала краевого поглощения, определены зависимости показателя преломления от поляризации и направления волнового вектора и выявления изотропной длины волны (λ0). Исследование поляризационных зависимостей экситонных спектров кристаллов. Проведены теоретические расчеты по дисперсионным соотношениям поляризованных спектров экситонов Френкеля и Ванье–Мотта, рассчитаны оптические функций (n, k, ε1, ε2) по соотношениям Крамерса–Кронига.

Результаты данной работы представляют интерес для фундаментальной физики и материаловедения тройных соединений одноосных и двухосных кристаллов.

Полученные результаты опубликованы в 15 научных работах, в журналах страны и за рубежом, 6 из которых опубликованы в журналах с импакт-фактором. Были получены двумя серебряными медалями на международных выставках, diploma of excellence. Была получена номинальная стипендия "Сергея Рэдэуцану" для докторантов, предоставляемая правительством Республики Молдова.