Аттестационная комиссия
Комиссия по аккредитации
Комиссия по экспертов
Распоряжения, инструкции
Нормативные акты
Номенклатура
Организации
Ученые советы
Семинары
Диссертации
Научные руководители
Ученые
Докторанты
Постдокторанты
CNAA logo

 română | русский | english


Микроструктура и процессы движения вихрей в сверхпроводящих пленках MgB2


Автор: Koch Thomas August Richard
Степень:доктор физико-математических наук
Специальность: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния
Год:2006
Научный руководитель: Anatolie Sidorenko
доктор хабилитат, профессор, Институт Электронной Инженерии и Нанотехнологий имени Д. Гицу
Институт:

Статус

Диссертация была зашищена 1 марта 2006
Утверждена Национальным Советом 27 апреля 2006

Автореферат

Adobe PDF document0.44 Mb / на румынском
Adobe PDF document0.39 Mb / на английском

Диссертация

CZU 537.312.62

Adobe PDF document 6.06 Mb / на английском
149 страниц


Ключевые слова

Сверхпроводник тонкие пленки, критический ток, критическое поле, активационная энергия, сила пиннинга

Аннотация

Разработана оптимизированная технология воспроизводимого приготовления высококачественных пленок первого многозонного сверхпроводника – диборида магния, проведено комплексное исследование свойств пленок.

Разработанный метод, защищенный двумя патентами, включает магнетронное напыление пленки- прекурсора бора с последующим отжигом в парах магния в специально сконструированном самогерметизирующемся ниобиевом контейнере.

Впервые проведено детальное исследование влияния микроструктуры и морфологии пленок диборида магния на их cверхпроводящие свойства. Изучена природа уширения сверхпроводящих переходов пленок MgB2 в магнитном поле. Установлено, что тероактивированный крип магнитного потока (TAFF) является причиной уширения переходов в сильных магнитнных полях. Необычайно сильная зависимость активационной энергии TAFF-процесса обнаружена для пленок MgB2.

Практическая значимость выполненной работы заключается в создании надежной технологии воспроизводимого получения высококачественных пленок диборида магния с наивысшей критической температурой Tc= 39,4 K, малой величиной уширения переходов ΔTc=0,3 K, с толщиной 50 нм - 5000 нм для технических применений.