|
СтатусДиссертация была зашищена 7 октября 2016Утверждена Национальным Советом 15 ноября 2016 Автореферат– 1.43 Mb / на румынскомДиссертацияCZU 537.32/ 539.21
3.32 Mb /
на румынском |
Диссертация состоит из введения, 4 главы, выводы и рекомендации, список литературы из 194 публикаци, 123 страницы текста, 38 рисунков и одной таблицы. Основные результаты опубликованы в 23 научных работах.
Область исследований: термоэлектрические свойства квазиодномерных органических кристаллов.
Цель диссертации: моделирование и анализ термоэлектрических свойств квазиодномерных органических кристаллов TTT2I3 p – типа и TTT(TCNQ)2 n – типа с целью определения оптимальных параметров для получения высокой термоэлектрической эффективности.
Задачи работы: разработка новой физической модели для исследования кинетических процессов. Вывод кинетического уравнения Болцмановского типа и численное моделирование термоэлектрических свойств кристалла. Разработка предложений для экспериментальной реализации кристаллов с высокой термоэлектрической эффективностью.
Научная новизна и оригинальность: разработана новая физическая трехмерная модель для описания кинетических процессов в квазиодномерных органических кристаллах типа TTT2I3 и TTT(TCNQ)2 в направление молекулярных цепочек. Предложена новая оригинальная методика для вычисления времени релаксации носителей заряда и термоэлектрических параметров.
Решенная научная задача состоит в более подробное описание термоэлектрических свойств органических кристаллов типа TTT2I3 и TTT(TCNQ)2 и численное моделирование термоэлектрических свойств на основе новой физической модели.
Теоретическая значимость и прикладная ценность работы: представлена новая физическая модель для исследования термоэлектрических свойств квазиодномерных органических кристаллов. Предложена оригинальная методика получения кинетического уравнения с помощью функций Грина. Были проведены численные расчеты кинетических коэффициентов для отдельных кристаллов и для термоэлектрического модуля в режиме генерации электрической энергии и в режиме охлаждения. Предложены рекомендации для повышения термоэлектрической добротности материала путем оптимизации уровня легирования и очистки от примесей. Полученные результаты были внедрены в рамках международного проекта FP7 Nr. 308768.