Аттестационная комиссия
Комиссия по аккредитации
Комиссия по экспертов
Распоряжения, инструкции
Нормативные акты
Номенклатура
Организации
Ученые советы
Семинары
Диссертации
Научные руководители
Ученые
Докторанты
Постдокторанты
CNAA logo

 română | русский | english


Двумерные и трёхмерные наноархитектуры на основе GaN для инженерные приложения


Автор: Braniște Fiodor
Степень:доктор технических наук
Специальность: 05.27.01 - Электроника твердого тела, микроэлектроника, наноэлектроника
Год:2017
Научный руководитель: Ion Tighineanu
доктор хабилитат, профессор, Институт математики и информатики АНМ
Институт: Технический Университет Молдовы

Статус

Диссертация была зашищена 16 мая 2017
Утверждена Национальным Советом 31 мая 2017

Автореферат

Adobe PDF document1.25 Mb / на румынском

Диссертация

CZU 621.315.592

Adobe PDF document 9.55 Mb / на румынском
158 страниц


Ключевые слова

Нанотехнологии, GaN, наномембраны, сенсоры, эндотелиальные клетки, фиксация наночастиц

Аннотация

Структура диссертации: Работа, вынесенная на защиту, была выполнена в Техническом Университете Молдовы, г. Кишинев, 2017, она написана на румынсом языке и состоит из введения, 4 глав, общих выводов и библиографии (208 наименований), основной текст изложен на 132 страницах, содержит 81 фигуры и 2 таблицы. Результаты научной деятельности опубликованы в 20 работах, из них 8 статей в интернациональных журналах, 2 статьи в национальных журналах и 10 публикаций национальных и интернациональных конференций. Область исследования: Нанотехнологии и новые мультифункциональные наноматериалы.

Цель: Разработка технологии создания нано- и микро- архитектур 2D и 3D на основе GaN с применением в электронике, фотонике, сензорике и наномедицине.

Задачи работы: Определение технологических условий для создания ультратонких подвешенных наномембран из GaN и разработка электронных, фотонных устройств и сенсоров. Определение технологических условий для пространственного наноструктурирования тонких слоев GaN, выращенных по методу MOCVD и HVPE, для создания упорядоченных трёхмерных структур. Оценка влияния полупроводниковых наночастиц на живые клетки. Определение степени токсичности наночастиц в зависимости от химического состава, концентрации или состояния (взвешенного в жидкости или прикрепленного к поверхности). Определение технологических условий получения пространственно распределенных и стабильных в жидкости GaN наноархитектур для предотвращения их агломерации. Исследование полученных структур.

Новизна и оригинальность: Методом литографии заряженных поверхностей были созданы электронные и фотонные элементы на основе GaN наномембран. Вследствие изучения процессов химического наноструктурирования была предложена модель роста GaN кристаллов.

Основная научная проблема, решенная в диссертации, заключается в: разработке технологических условий создания ультратонких мембран GaN для практического применения в качестве мемристоров, фотонных кристаллов и в биомедицинских целях. Была решена задача агломерации наночастиц через их выращивание на пространственных подложках. Была доказана биосовместимость наночастиц GaN с эндотелиальными клетками.

Теоретическая и прикладная ценность работы: Практическая значимость исследования состоит в разработке мемристоров на базе наномембран и фотонных кристаллов на базе наноперфорированных GaN мембран. В данной работе представлена модель поглощения примесей в процессе выращивания кристаллов GaN по методу HVPE. Эту модель поддерживают и эксперименты по химическому наноструктурированию. Выращивание микрокристаллов GaN на пространственных сетях аэрографа важна для получения большого числа отдельных наночастиц, а также для использования гибридных структур AG-GaN в случаях, когда необходимо пространственное распределение наночастиц. Изучение взаимодействия GaN наночастиц с живыми клетками и оценка их токсичности способствует развитию нано-наук через проектирование и изготовление «умных» наноматериалов на базе GaN, способных решить сложные проблемы медицинской визуализации и лечения.

Внедрение научных результатов: На основе достигнутых результатов был получен патент в Республике Молдова.