Аттестационная комиссия
Комиссия по аккредитации
Комиссия по экспертов
Распоряжения, инструкции
Нормативные акты
Номенклатура
Организации
Ученые советы
Семинары
Диссертации
Научные руководители
Ученые
Докторанты
Постдокторанты
CNAA logo

 română | русский | english


Оптические и фотоэлектрические явления в анизотропных материалах


Автор: Dorogan Andrei
Степень:доктор физико-математических наук
Специальность: 01.04.10 - Физика и инженерия полупроводников
Год:2019
Научный руководитель: Nicolae Sîrbu
доктор хабилитат, профессор, Технический Университет Молдовы
Институт: Технический Университет Молдовы

Статус

Диссертация была зашищена 26 апреля 2019 в ученом совете и находится на рассмотрении в Национальном Совете.

Автореферат

Adobe PDF document0.86 Mb / на румынском

Диссертация

CZU 535.2/.3 (043.2)

Adobe PDF document 6.62 Mb / на румынском
186 страниц


Ключевые слова

анизотропия, двулучепреломление, гирация, дихроизм, гетероструктуры, квантовые ямы, оптические фильтры, фоторецепторы

Аннотация

Структура работы. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, выводов, библиографии из 151 наименований, 7-и приложений, 139 страниц основного текста, включая 78 рисунков и 2 таблицы. Полученные результаты опубликованы в 50-х работах.

Область исследования состоит в изучении анизотропии и спектроскопии экситонных поляритонов двулучепреломляющих кристаллов ZnAs2, наноструктур In0,3Ga0,7As/GaAs и оценки основных оптических свойств и констант.

Целью работы является изучение анизотропии низкосимметричных полупроводниковых кристаллов, изучение явлений на поверхности кристаллов и границ раздела с металлами и полупроводниками, изучение параметров и свойств In0,3Ga0,7As/GaAs структур с квантовыми ярмами, с целью разработки оптоэлектронных устройств.

Научная новизна и оригинальность заключается в характеристике оптических свойств двулучепреломляющих материалов и структур с квантовыми ямами и определении основных оптических параметров с высоким разрешением. Оригинальность предлагаемых решений заключается в определении возможности разработки оптоэлектронных устройств, чувствительных к поляризации оптического излучения, используемых в системах оптической связи и в других областях.

Решенная научная задача заключается в определении и вычислении основных оптических параметров экситонных поляритонов в двулучепреломляющих кристаллах ZnAs2 с симметрией C2h5 и электронных переходах в основной полосе поглощения материалов с оптической анизотропией и гетероструктур с квантовыми ямами, с целью разработки оптоэлектронных устройств.

Теоретическая значимость состоит в расчете спектров экситонных поляритонов ZnAs2 на основе дисперсионных соотношений, определение эффективных масс электронов и дырок, определение фундаментальных оптических параметров с использованием соотношений Крамерса-Кронига для кристаллов ZnAs2 и гетероструктур с квантовыми ямами.

Прикладное значение состоит в демонстрации возможности создания оптоэлектронных устройств, чувствительных к линейному поляризованному излучению, на основе анизотропных материалов ZnAs2, а также в объективной оценки качества и параметров гетероструктур с квантовыми ямами используя методы оптической спектроскопии.