Физические свойства одномерных и двумерных полупроводниковых и композитных структур
|
СтатусДиссертация была зашищена 12 июня 2019Утверждена Национальным Советом 27 сентября 2019 Автореферат – 1.96 Mb / на румынскомДиссертацияCZU 621.315.592
|
Ключевые слова
полупроводники А3В5, оксид цинка, гибридные наноматериалы, аэрографит, магнитные сплавы, нитевидные наноструктуры, остаточная фотопроводимость, люминесценция, плазмонные эффекты, магнитные свойства, магнитная бистабильностьАннотация
Структура диссертации: введениe, 4 главы, общие выводы и рекомендации, 215 библиографических названий, 5 приложений, 122 страниц основного текста, 75 рисунков и 6 таблиц. Результаты, представленные в диссертации, опубликованы в 15 научных работах.
Область исследования: нанотехнологии и новые функциональные наноматериалы.
Цель работы заключается в изучении фотоэлектрических и плазмонных эффектов в квазиодномерных и двумерных наноструктурах, а также в нанопористых и композитных материалах изготовленных на основе полупроводников А3В5 и ZnO, изучение магнитных, гальваномагнитных и фотонных свойств нитевидных структур из Ge и магнитых сплавов в стеклянной изоляции.
Задачи: изготовление полупроводниковых и магнитных нитевидных, пористых, мембранных и гибридных наноматериалов; сравнительный анализ их фотоэлектрических свойств с особым акцентом на релаксацию фотопроводимости для выяснения механизмов остаточной фотопроводимости; выявление влияния осаждения металлических пленок на усиление люминесценции посредством плазмонных эффектов; разработка методов измерения магнитных свойств нитевидных структур; изучение нитевидных наноструктур созданных путем вытягивания и оценка перспектив для практических применений.
Научная новизна. Были определены технологические параметры, которые обеспечивают контролируемое изменение морфологии наноструктурированных полупроводниковых слоев, сверхтонких мембран, нанонитей и гибридных трехмерных наноматериалов. Впервые было продемонстрировано широкополосное поглощение в гибридных структурах аэрографит-ZnO и выяснены причины и механизмы этого явления. Были определены особенности долговременной релаксации фотопроводимости и механизмы остаточной фотопроводимости в полупроводниковых наноструктурах по сравнению с объемными материалами. Были выявлены механизмы усиления фотолюминесценции в наноструктурированных полупроводниковых слоях при осаждении тонких проводяших пленок. Была разработана технология интегрирования рекордного числа Ge нанонитей (до одного миллиона) в одно стеклянное волокно и были определены условия обеспечения неразрывности сердечника нитевидных наноструктур. Был обнаружен эффект гальваномагнитной рекомбинации в нанонитях германия, эффект взаимодействия магнитных микропроводов и эффект типа Виганда в пучке микропроводов.
Решённая научная проблема заключается в выяснение механизмов остаточной фотопроводимости в зависимости от состава и морфологии полупроводниковых наноструктур, изучение плазмонных эффектов для усиления люминесценции и фотонных магнитных и гальваномагнитных свойств нитевидных наноструктур.
Теоретическая значимость и ценность работы. Были определены механизмы остаточной фотопроводимости, оптического гашения и плазмонных эффектов в зависимости от состава и морфологии полупроводниковых наноструктур. Эти результаты могут быть использованы для снижения отрицательного воздействия на приборы, улучшения параметров, проявление эффектов памяти и увеличение эффективности излучения. Обнаруженные эффекты в нитевидных структурах могут быть использованы для разработки магнитных сенсоров и меток, фотонных приборов и других применений.
Официальные оппоненты
- Dumitru Ţiuleanu
доктор хабилитат, профессор, Технический Университет Молдовы - Mihail Caraman
доктор хабилитат, профессор, Государственный Университет Молдовы
Члены Ученого Совета
- Dmitrii Nedeoglo, председатель
доктор хабилитат, профессор, Государственный Университет Молдовы - Vadim Sirkeli, секретарь
доктор, доцент - Dormidont Şerban, член
доктор хабилитат, Институт прикладной физики - Nicolae Sîrbu, член
доктор хабилитат, профессор, Технический Университет Молдовы - Albina Nikolaeva, член
доктор хабилитат, профессор, Институт Электронной Инженерии и Нанотехнологий имени Д. Гицу - Oleg Şapova, член
доктор
Диссертации
