română | русский | english

Автор: Andrian Gheorghiţă Степень: доктор физико-математических наук Специальность:  01.04.10 - Физика и инженерия полупроводников Год: 2007 Научный руководитель: Teodor Munteanu доктор хабилитат, профессор Институт:

Статус Диссертация была зашищена 14 сентября 2007 Утверждена Национальным Советом 18 октября 2007 Автореферат – 0.30 Mb / на румынском Диссертация CZU 621.315.592 1.17 Mb / на румынском 131 страниц

Аннотация

Диссертация посвящена комплексному исследованию оптических и квантовых осцилляционных эффектов в бикристаллах Bi и сплавов Bi1-xSbx (0,06x0,20) в стационарных (до 18 Тл) и импульсных (до 45 Тл) магнитных полях. Исследуемые бикристаллы состоят из двух моноблоков и границы раздела кристаллитов (ГРК), ширина которой 140 нм  L  600 нм оценивалвсь с помощью электронного микроскопа и из оптических измерений. Изучены бикристаллы с ГРК типа наклона и типа кручения в широком диапазоне углов разориентации кристаллитов.

Из анализа особенностей оптических спектров были выявлены основные каналы модификации энергетического спектра носителей заряда в области ГРК по сравнению со спектром в однородных монокристаллах с одинаковыми параметрами. Произведена идентификация наблюдаемых в спектрах отражения пиков.

Исследования квантовых осцилляций как термомагнитных так и гальваномагнитных эффектов выявили ряд особенностей характерных только для бикристаллов: амплитуда и структура колебательных спектров Холловского сопротивления сильно зависит от типа ГРК и углов разориентации кристаллитов. ГРК типа кручения с малыми углами разориентации состоит из центральной части (70-90) нм с большей плотностью состояний и двух смежных слоев (170-250) нм, а обьем поверхности Ферми в области ГРК увеличивается по сравнению с ее обьемом в соответсвующих монокристаллах, плотность электронных состояний возрастает пратически на три порядка. Обнаружена новая низкочастотная составляющая в спектре осцилляций Шубникова – де Гааза при направлении магнитного поля вдоль ГРК. Наличие данной частоты связано с поворотом поверхности Ферми на ГРК относительно ее положения в моноблоках.

Показано, что в бикристаллах Bi1-xSbx р-типа проводимости с ГРК наклона осциляции Шубникова – де Гааза представляют собой суперпозицию двух частотных составляющих. При этом угловые зависимости их периодов почти одинаковы по форме, но сдвинуты относительно друг друга на /2, что свидетельствует о повороте поверхности Ферми на ГРК примерно на 90. В бикристаллах Bi1-xSbx (0,08x0,12) исследован переход полупроводник-полуметалл связанный с влиянием ГРК на поведение в ультраквантовом магнитном поле определенного направления носителей заряда.

Официальные оппоненты

• Nicolae Sîrbu
  доктор хабилитат, профессор, Технический Университет Молдовы
• Nicolae Popovici
  доктор хабилитат, профессор

 Диссертации