Фононные процессы в графене и наноструктурах на базе кремния
|
СтатусДиссертация была зашищена 19 июня 2015Утверждена Национальным Советом 7 октября 2015 Автореферат – 1.53 Mb / на румынском – 1.48 Mb / на английскомДиссертацияCZU 539.21
|
Ключевые слова
фононы, электроны, нанослой, сверхрешетка, нанонить, графен, динамика решетки, модуляция, тепловые свойства.Аннотация
Диссертация на соискание ученой степени доктора физических наук, Кишинев, 2015. Введение, 4 Главы, Общие выводы и рекомендации, 200 Ссылок, 140 Страниц, 66 Рисунков, 7 Таблиц. Результаты, представленные в диссертации, опубликованы в 33 научных работах.
Область исследований: физика наносистем.
Цель и задачи: исследование фононных процессов в графене (одно-, двух-, трех-слойном и “twisted” графене) и наноструктурах на базе кремния (Si нанослоях, Si/Ge сверхрешетках, модулированных нанонитях на базе Si), и поиск методов целенаправленного управления их фононными свойствами.
Научная новизна и оригинальность: развита модель динамики решетки Борна – фон Кармана для нанослоев, плоских сверхрешеток, нанонитей с модуляцией поперечного сечения и многослойного графена с различной упаковкой графеновых слоев; исследовано влияние материала обкладки и модуляции поперечного сечения на фононные и электронные процессы в нанонитях на базе Si; развит теоретический подход для расчета времени рассеяния фононов на интерфейсах Si/Ge сверхрешеток и исследовано влияние качества Si/Ge интерфейса на фононные и тепловые свойства этих сверхрешеток; изучено влияние способа упаковки графеновых слоев на фононные и тепловые процессы в многослойном графене.
Решенная важная научная задача: теоретически продемонстрирована и исследована возможность управления фононными процессами в двухслойном графене путем поворота графеновых слоев друг относительно друга вокруг оси перпендикулярной к плоскости слоев. Развита теоретическа я модель динамики решетки в двухслойном графене с поворотом (“twisted”).
Теоретическая значимость: разработаны теоретические подходы для управления фононными процессами в графене и наноструктурах на базе кремния. Прикладная ценность: практическая реализация полученных теоретических результатов может способствовать появлению новых классов наноструктур с определенно заданными фононными свойствами.
Официальные оппоненты
- Anatolie Casian
доктор хабилитат, профессор - Igor Belousov
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики
Члены Ученого Совета
- Florentin Paladi, председатель
доктор хабилитат, профессор, Государственный Университет Молдовы - Virginia Gurău , секретарь
доктор, доцент - Ion Geru, член
доктор хабилитат, профессор, Институт Электронной Инженерии и Нанотехнологий имени Д. Гицу - Vasile Tronciu, член
доктор хабилитат, профессор - Serghei Boldîrev, член
доктор, доцент - Nicolae Enache,
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики
Диссертации
