Аттестационная комиссия
Комиссия по аккредитации
Комиссия по экспертов
Распоряжения, инструкции
Нормативные акты
Номенклатура
Организации
Ученые советы
Семинары
Диссертации
Научные руководители
Ученые
Докторанты
Постдокторанты
CNAA logo

 română | русский | english


Оптическая спектроскопия халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx


Автор: Iaseniuc Oxana
Степень:доктор физико-математических наук
Специальность: 01.04.10 - Физика и инженерия полупроводников
Год:2015
Научный руководитель: Mihail Iovu
доктор хабилитат, профессор, Институт прикладной физики АНМ
Институт: Институт прикладной физики АНМ

Статус

Диссертация была зашищена 20 ноября 2015
Утверждена Национальным Советом 22 декабря 2015

Автореферат

Adobe PDF document1.71 Mb / на румынском
Adobe PDF document1.36 Mb / на русском

Диссертация

CZU 621.315.592.539.213

Adobe PDF document 9.57 Mb / на русском
0 страниц


Ключевые слова

халькогенидные стекла, аморфные слои, оптическое поглощение, показатель преломления, дифракция Х лучей, Pамановская спектроскопия, регистрирующие среды

Аннотация

Диссертация написана на русском языке и содержит введение, 4 главы, выводы и рекомендации, 154 библиографических ссылок, 113 страниц базового текста, 95 рисунков и 6 таблиц. Полученные результаты опубликованы в 24 научных работах (6 из которых- статьи).

Цель работы: исследование фундаментальных свойств халькогенидных стекол и аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx, определение оптических параметров и их изменения под действием внешних факторов, исследование процесса регистрации оптической информации.

В результате выполненных исследований была решена главная научная задача, которая состоит в управлении физическими и оптическими свойствами халькогенидных стекол и аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx путем изменения состава и под действием внешних факторов.

Научная новизна и оригинальность полученных результатов В диссертации впервые проводится исследование физических, механических, оптических, фотоэлектрических и голографических свойств халькогенидных стекол и аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx. Было обнаружено, что легирование халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx примесью олова, особенно при легировании оловом x=0,04, существенно снижает интенсивность некоторых полос поглощения S-H и H2O в ИК спектрах. Рост концентрации Sn вплоть до x=0,10, смещает колебательные моды в спектрах комбинационного рассеяния расположенных на частотах ν=236 см-1 (пирамиды AsSe3/2) и ν=345 см-1 (пирамиды AsS3/2) в область низких частот.

Установлено, что по мере увеличения концентрации Sn в халькогенидных стеклах (As4S3Se3)1-xSnx происходит смещение фундаментального края поглощения в красную область спектра. Из спектров оптического поглощения были рассчитаны значения оптической ширины запрещенной зоны Eg opt, установлена ее зависимость от состава аморфных слоев. Из спектров оптического пропускания были рассчитаны значения коэффициента поглощения α, показателя преломления n, дисперсионной энергии E0, силы диэлектрического осциллятора Ed, а также степень модуляции оптических параметров под действием света с энергией hν≥Eg opt. Был исследован „in-situ” процесс релаксации оптического пропускания T(t)/T(0)=f(t) для аморфных пленок (As4S3Se3)1-xSnx при освещении He-Ne лазером, который хорошо описывается функцией затянутой экспоненты T(t)/T(0)=A0+Aexp[-(t-t0)/τ](1-β). В тонких слоях (As4S3Se3)1-xSnx были записаны дифракционные решетки голографическим методом и электронным лучом. В процессе электронно-лучевой записи дифракционных решеток была обнаружена модуляция рельефа на поверхности пленок при высоких токах пучка электронов.

Полученные результаты в диссертации представляют интерес для материаловедения аморфных полупроводников. Аморфные слои исследуемых халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx могут быть использованы для голографии в качестве регистрирующих сред для записи оптической информации и для дифракционной оптики в качестве дифракционных структур созданных с помощью электронно-лучевой записи.

Содержание


1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.
  • 1.1 Определение некристаллических материалов. Методы получения халькогенидных стекол и аморфных слоев.
  • 1.2 Элементы структуры халькогенидных стекол.
  • 1.3 Оптические и фотоэлектрические свойства халькогенидных стекол.
  • 1.4 Фотоиндуцированные эффекты в аморфных слоях халькогенидных стекол.
  • 1.5 Элементы и оптоэлектронные приборы на основе аморфных полупроводников.
  • 1.6 Выводы по главе 1 и постановка задачи.

2. ПОЛУЧЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ФИЗИЧЕСКИХ И СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИХ СВОЙСТВ.
  • 2.1. Получение халькогенидных стекол и тонких пленок (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.1.1 Получение халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.1.2 Получение халькогенидных тонких пленок (As4S3Se3)1-xSnx
  • 2.2. Исследование структуры халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx с помощью дифракции X- лучей.
  • 2.3. Микротвердость халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.4. Оптическая спектроскопия халькогенидных стекол и аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.5. Спектры стационарной фотопроводимости аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.6. Рамановская спектроскопия.
  • 2.7. Выводы по главе 2.

3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ СЛОЕВ (As4S3Se3)1-xSnx
  • 3.1. Оптическое краевое поглощение.
  • 3.2. Определение оптических констант аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx из спектров оптического пропускания.
  • 3.3. Фотоиндуцированное поглощение в аморфных слоях (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 3.4. Описание механизма фотоиндуцированного поглощения в аморфных слоях (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 3.5. Выводы по главе 3.

4. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕЭФФЕКТЫ В АМОРФНЫХ СЛОЯХ (As4S3Se3)1-xSnx
  • 4.1. Влияние освещения и термической обработки на оптические спектры пропускания и кинетику фотоиндуцированного поглощения аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx и на модифицирование оптических констант.
  • 4.2. Регистрация оптической информации голографическоим методом с помощью лазера в аморфных слоях (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 4.3. Регистрация дифракционных решеток с помощью электронного луча в аморфных слоях (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 4.4. Выводы по главе 4.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕКОМЕНДАЦИИ