Comisia de atestare
Comisia de acreditare
Comisiile de experţi
Dispoziţii, instrucţiuni
Acte normative
Nomenclator
Instituţii
Consilii
Seminare
Teze
Conducători de doctorat
Deţinători de grad
Doctoranzi
Postdoctoranzi
CNAA logo

 română | русский | english


Modelarea caracteristicilor electronice ale tranzistorilor de putere si convertorilor fotoelectrici în aproximaŃia liniară-hiperbolică


Autor: Penin Alexandru
Gradul:doctor în tehnică
Specialitatea: 05.27.01 - Electronica corpului solid, microelectronică, nanoelectronică
Anul:2011
Conducător ştiinţific: Anatolie Sidorenko
doctor habilitat, profesor universitar, Institutul de Inginerie Electronica şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"
Instituţia: Institutul de Inginerie Electronica şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"
CSS: DH 24-05.27.01
Institutul de Inginerie Electronica şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"

Statut

Teza a fost susţinută pe 4 februarie 2011 în CSS
şi aprobată de CNAA pe 31 martie 2011

Autoreferat

Adobe PDF document0.38 Mb / în română
Adobe PDF document0.34 Mb / în română

Cuvinte Cheie

celule solar, tranzistor, caracteristica volt -amperică, aproximaţie, calcul regimului, geometria proiectivă, putere maximă de iesire

Adnotare

Structura tezei: introducere, cinci capitole, concluzii generale si recomandări, bibliografie din 101 titluri, 170 pagini de text de bază, 5 tabele, 85 figuri.

Numărul de publicaţii la temă: rezultatele obţinute sunt publicate în 18 lucrări stiinţifice si în 2 brevete.

Domeniul de cercetare: electronică de putere.

Scopul lucrării stiinţifice: Cercetarea si dezvoltarea adecvată de aproximaţie a datelor fisei CVA a tranzistorilor, BS si metodă de evaluare a eficacităţii regimurilor lor utilizate în elaborarea de dispozitive electronice de putere.

Obiectivele studiului: de justificat definirea abaterilor si compararea eficienţei regimurilor pentru dipolii activi cu CVA liniare; pentru dipolii activi (pe exemplul propus de convertoare de tensiune cvasi-rezonant) cu neliniaritatea CVA; de a dezvolta asemănarea CVA a dispozitivelor semiconductoare si convertorului propus cvasi-rezonant de tensiune pentru o descriere unificată si calculul sistemei de alimentare cu energie; de elaborat o abordare de bază, care ar da o întreagă clasă convenabilă pentru practica de inginerie a dependenţei pentru a descrie CVA a diferitor dispozitive semiconductoare; de dat exemple de aproximaţie a CVA a diferitor tranzistore; de aplicat rezultatele obţinute pentru a evalua eficacitatea regimurilor BS.

Noutatea si originalitatea stiinţifică: aplicarea metodelor de geometrie proiectivă la analiza regimurilor de circuite electrice; argumentarea modelului de generator echivalent convertorului de tensiune cvasi-rezonant ca un dipol activ cu auto-limitare a curentului; abordare de bază pentru o întreagă clasă de expresii care să reprezinte diferite caracteristici pe baza CVA a dipolului activ, cu o auto-limitare a curentului; aplicarea si dezvoltarea a similitudinii caracteristicilor de convertor de tensiune cvasi-rezonant si a asa dispozitive semiconductoare, cum ar fi tranzistorii si BS.

Semnificaţia teoretică si valoarea aplicativă a tezei: aplicarea de noi instrumente matematice în teoria circuitelor electrice; dezvoltarea de modele de dipoli activi, clasificare CVA tipice si regimurilor caracteristice; descrierii unificate si argumentate a caracteristicilor si eficacităţii regimurilor convertorilor de tensiune, tranzistorilor si BS; metode simple de calcul (calcul analitic direct) a regimurilor convertorilor de tensiune, tranzistorilor si BS; metodelor de evaluare a eficacităţii regimurilor ca o abatere de la regimul de putere maximă a BS, convertorului de tensiune; eventuala aplicare de microcontrolere simple la organizarea sistemelor directe de control digital, putere.