română | русский | english

Autor: Harea Diana Gradul: doctor în ştiinţe fizico-matematice Specialitatea:  01.04.10 - Fizica şi ingineria semiconductorilor Anul: 2010 Conducător ştiinţific: Mihail Iovu doctor habilitat, profesor cercetător, Institutul de Fizică Aplicată Instituţia: CSS:

Statut Teza a fost susţinută pe 30 iunie 2010 în CSS şi aprobată de CNAA pe 6 octombrie 2010 Autoreferat – 0.42 Mb / în română

Cuvinte Cheie

Adnotare

Teza a fost perfectată la Chişinău în a. 2010, este scrisă în limba română şi constă din introducere, 4 capitole, concluzii, 140 titluri bibliografice, 108 pagini text de bază, 57 figuri, 5 tabele.

Disertaţia este dedicată studiului complex al proprietăţilor optice şi fotoelectrice ale straturilor amorfe din sistemelor calcogenice As100-xSex (x=40÷98), As2Se3:Sn şi Sb2Se3:Snx cu concentraţia de 0÷10.0 at.% Sn. Experimental a fost stabilit, că odată cu majorarea concentraţiei de As în sistemul calcogenic As100-хSex.şi a concentraţiei de Sn în As2Se3:Sn şi Sb2Se3:Sn are loc deplasarea pragului de absorbţie optică în domeniul roşu al spectrului. Din spectrele de absorbţie optică au fost calculate valorile indicelui de refracţie, stabilită dependenţa lui de compoziţia stratului amorf, modificările indicelui de refracţie sub acţiunea iradierii luminoase şi a tratamentului termic. În straturile amorfe de As100-хSex.a fost studiаt efectul de fotoîntunecare şi procesul de înregistrare a informaţiei holografice, comparate datele experimentale cu cele ale modificării indicelui de refracţie.

Rezultatele experimentale privind spectrele fotoconducţiei staţionare şi a relaxării curentului fotoelectric au fost utilizate pentru calculul funcţiei distribuţiei stărilor localizate (DOS) şi a parametrilor energetici ale straturilor amorfe de As100-хSex şi As2Se3:Sn. Datele experimentale obţinute, arată că timpurile caracteristice de captare a purtătorilor de sarcină electrică pe capcane adânci în straturile amorfe de As2Se3 se măresc la dopare cu impurităţi de Sn. Efectul de compoziţie, impurităţile de staniu şi iluminarea suplimentară influenţează forma curbelor de relaxare a curentului fotoelectric şi a distribuţiei funcţiei DOS.

Scăderea fotoconductibilităţii persistente cu constanta de timp tipică τ =2.2 - 25.31 s este descrisă de funcţia exponenţială tărăgănată. Efectul fotoconducţiei persistente apare datorită existenţei în materialele studiate a stărilor de defecte adânc localizate. Distribuţia largă după energie a stărilor de defecte cu centrul situat la 1,4 eV, care au o energie de excitare mai mică decât banda interzisă de energie a fost observată în toate starturile amorfe de As2Se3:Sn. Au fost estimaţi parametrii de bază ale acestor stări localizate, concentraţia totală, poziţia energetică a maximului de distribuţie, semilărgimea, ş.a. Rezultatele experimentale sunt interpretate în cadrul modelului de defecte D+ şi D- cu energie negativă de corelare. Pentru determinarea funcţiei DOS de asemenea au fost utilizate şi datele experimentale privind cinetica relaxării fotocapacităţii. A fost stabilit, că pentru toate straturile amorfe din sistemul As100-xSex distribuţia energetică a stărilor localizate g(E) este caracterizată printr-un maxim larg situat în apropierea de mijlocului benzii interzise. Estimările arată, că pentru straturile amorfe de As100-xSex cu compoziţia x>60, se observă o variaţie nemonotonă a concentraţiei capcanelor în raport cu compoziţiile cu x = 72÷80. În regiunea acestui maxim concentraţia capcanelor este de Nt= 2,4x10-17 cm-3 . S-a demonstrat, că în această regiune domină perechea defectelor coordonate de tip As4 +, Se1-.

În baza materialelor studiate au fost formulate recomandări practice pentru utilizarea straturilor amorfe din sistemul calcogenic As100-xSex în calitate de medii de înregistrare a informaţiei optice şi holografice. Straturile amorfe de As2Se3:Sn pot fi utilizate în calitate de elemente fotosensibile ale detectorilor de fotoni (Brevet de invenţie, MD No. 3548). Rezultatele de bază ale tezei sunt publicate în 45 lucrări ştiinţifice (5 articole şi 40 rezumate).

Cuprins

Referenţi Oficiali

• Mihail Caraman
  doctor habilitat, profesor universitar, Universitatea de Stat din Moldova
• Dormidont Şerban
  doctor habilitat, Institutul de Fizică Aplicată

 Teze

[...] Acte Normative