Comisia de atestare
Comisia de acreditare
Comisiile de experţi
Dispoziţii, instrucţiuni
Acte normative
Nomenclator
Instituţii
Consilii
Seminare
Teze
Conducători de doctorat
Deţinători de grad
Doctoranzi
Postdoctoranzi
CNAA logo

 română | русский | english


Studierea proceselor electronice şi de iradiere în monocristalele seleniurii de zinc, dopate cu aur


Autor: Vadim Sirkeli
Gradul:doctor în ştiinţe fizico-matematice
Specialitatea: 01.04.10 - Fizica şi ingineria semiconductorilor
Anul:2005
Conducător ştiinţific: Dmitrii Nedeoglo
doctor habilitat, profesor universitar, Universitatea de Stat din Moldova
Instituţia:

Statut

Teza a fost susţinută pe 21 septembrie 2005 în CSS
şi aprobată de CNAA pe 22 decembrie 2005

Autoreferat

Adobe PDF document0.35 Mb / în română
Adobe PDF document0.39 Mb / în rusă

Teza

CZU 621.315.592

Adobe PDF document 12.44 Mb / în rusă
170 pagini


Cuvinte Cheie

seleniura de zinc, fenomene de transport, purtatori de sarcin fierbinţi , efectul Hall, defecte native şi de impuritare, impuritate amfoteră, aur, fotoluminescenţa, centrul de luminescenă, centrul asociativ, exciton, complex exciton-impuritate, luminescenţa infraroşie

Adnotare

Teza este consacrat cercetării in ansamblu a proprietăilor electrice şi luminescente ale cristalelor de ZnSe, dopate cu aur in procesul tratării termice ale cristalelor in topituri de Zn+Au i Se+Au cu concentraţia variată a impuriăţii dopante.

Prin studiul proprietăţilor electrice in premier s-a demonstrat, căimpuritatea de aur in cristalele de n-ZnSe:Zn:Au manifest proprietăi amfotere. La concentraţii mici de aur (< 0,5 % at.) in topitur de Zn+Au atomii de aur se incorporează preponderent intre nodurile reţelei cristaline ale ZnSe şi formează donorii activi Aui cu energia de activare ED(Aui) = (22 ± 2) meV. In spectrele de FL ale acestor cristale pentru prima dată a fost observat I -linia (446,8 nm) dominant, ce prezintă superpoziţia a dou linii de iradiere: anihilarea excitonilor legaţi de defectele native (VSe) şi anihilarea excitonilor legaţi de defectele impuritare (Aui). Marirea gradului de dopare ale cristalelor de ZnSe (mai mult ca 1 % at. Au in topitur Zn+Au) conduce la formarea defectelor simple de substituire AuZn de tip acceptor şi a centrelor asociative (AuZn-Aui), (AuZn-DZn) şi / sau (VZn-Aui). S-a demonstrat, că centrele asociative (AuZn-Aui) sunt responsabile de apariţia in spectrul FL a cristalelor de n-ZnSe:Zn:Au a benzii de iradiere impuritar A (458,2 nm), intensitatea căreia creşte odată cu micşorarea intensitţii benzii de natura excitonic pe măsura măririi gradului de dopare a probelor. Centrele asociative (AuZn-DZn) şi (VZn-Aui) sunt responsibile de spectrele de FL din regiunea undelor lungi (599 nm i 628 nm) şi infraroşie (878 nm). S-a demonstrat, că doparea cristalelor de ZnSe cu aur din topitur de Se+Au conduce la formarea preponderent a impurităţilor acceptoare de AuZn, responsabile de iradierea intensivă din regiunea albastră aspectrului (I -linia centrat la 447,2 nm).

In baza investigaţiilor dependenţilor de temperatură ale coeficientului Hall şi a mobilitţii electronilor din cristalele de n-ZnSe:Zn:Au a fost stabilit, că atomii de aur, substituind nodurile de zinc ale reţelei cristaline a ZnSe, formează centre simple de inlocuire monoionizate Au electric şi optic active cu configuraţia electronic d10.