română | русский | english

Autor: Sergiu Vatavu Gradul: doctor în ştiinţe fizico-matematice Specialitatea:  01.04.10 - Fizica şi ingineria semiconductorilor Anul: 2006 Conducător ştiinţific: Petru Gaşin doctor habilitat, profesor universitar, Universitatea de Stat din Moldova Instituţia:

Statut Teza a fost susţinută pe 9 iunie 2006 în CSS şi aprobată de CNAA pe 28 septembrie 2006 Autoreferat – 1.48 Mb / în română Teza CZU 621.315.592 14.75 Mb / în română 260 pagini

Cuvinte Cheie

Adnotare

In teza de doctor sunt prezentate rezultatele elaborării tehnologiei de obţinere a heterojoncţiunilor CdS/CdTe pe baza straturilor subţiri şi a studierii proprietăţilor lor electrice şi fotoelectrice. Heterojoncţiunile CdS/CdTe au fost obţinute prin metoda volumului cvasiinchis pe suporturi de sticlă acoperite cu SnO2 (2x2 cm²). A fost studiată influenţa temperaturilor evaporatorului şi a suportului asupra structurii şi proprietăţilor electrofizice ale straturilor subţiri de CdS şi CdTe. Au fost stabilite temperaturile optimale ale evaporatorului şi suportului: pentru CdS Tevapor=640°С, Tsuport=445°C, pentru CdTe Tevapor=550°C, Tsuport=445°C. Sunt prezentate studiile metalografice şi distribuţia elementelor in straturile subţiri de CdS şi CdTe. A fost stabilit că atomii de Sn şi Si sunt prezenţi in peliculele de CdS de rând cu elementele de bază (Cd şi S) datorită proceselor de difuzie. Pentru mărirea fotosensibilităţii heterojoncţiunilor CdS/CdTe, ultimele au fost supuse tratamentului termic (390-420°C) in prezenţa CdCl2 timp de 15-60 min.

Din analiza caracteristicilor curent-tensiune in intervalul de temperaturi 78-370K a fost stabilit ca mecanismul de trecere a curentului in heterojoncţiunile CdS/CdTe la polarizări directe este determinat de procesele de tunelare prin intermediul dislocaţiilor ce străbat regiunea de sarcină spaţială, concentraţia cărora atinge valoarea 2-1O(5) cm(-2). La polarizări inverse predomină procesele de tunelare prin mai multe trepte prin centre locale in regiunea de sarcină spaţială.

Cercetarea spectrelor de fotoluminescenţă, a absorbţiei optice şi a reflexiei a demonstrat că la interfaţa heterojoncţiunii in procesul de tratare in CdCl2 se formează un strat de soluţii solide CdSxTe1-x (x=0,03-0,05). Apariţia maximelor excitonice in structurile tratate demostrează imbunătăţirea structurii cristaline şi micşorarea concentraţiei defectelor la interfaţa heterojoncţiunii.

Studiul cineticii fotoconductibilităţii in stratul de CdTe a demonstrat că in rezultatul tratamentului termic, se formează un nou centru impuritar cu energia de activare 20 meV, care măreşte timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină de neechilibru pană la 200 μs.

Heterojoncţiunile CdS/CdTe tratate in CdCl2 au o fotosensibilitate constantă la 300K in regiunea 0,52-0,83 μm, iar la micşorarea temperaturii pană la 78K, in spectrul de fotosensibilitate predomină generarea perechilor electron-gol in stratul de CdTe. La mărirea intensităţii iluminării integrale tensiunea de circuit deschis (Ucd) tinde la saturaţie, curentul de scurt-circuit (Isc) creşte liniar şi la 80 mW/cm² Ucd=0,74 V, Isc=22,3 mA/cm2, factorul de umplere este de 0,43, iar randamentul - 8,8%.

Rezultatele principale la tema tezei sunt publicate in 30 de lucrări ştiinţifice.

Teza e scrisă in limba romană şi conţine 112 pagini text, 116 figuri, 9 tabele, asigurarea bibliografică constă din 148 de denumiri.

Cuprins

Referenţi Oficiali

• Teodor Şişianu
  doctor habilitat, profesor universitar
• Leonid Culiuc
  doctor habilitat, profesor universitar, Institutul de Fizică Aplicată

 Teze

[...] Acte Normative