Comisia de atestare
Comisia de acreditare
Comisiile de experţi
Dispoziţii, instrucţiuni
Acte normative
PREGĂTIREA CADRELOR
Nomenclator
Instituţii
Consilii
Seminare
Teze		 Conducători de doctorat
Deţinători de grad
Doctoranzi
Postdoctoranzi
CNAA logo

 română | русский | english

CNAA / Teze / 2016 / mai /

Ingineria fononică în structurile nanodimensionale


Autor: Nica Denis
Gradul:doctor habilitat în Ştiinţe fizice
Specialitatea: 01.04.02 - Fizică teoretică şi matematică
Anul:2016
Consultant ştiinţific: BALANDIN Alexander
PhD, profesor, Universitatea din California – Riverside, SUA
Instituţia: Universitatea de Stat din Moldova

Statut

Teza a fost susţinută pe 20 mai 2016 în CSS
şi aprobată de CNAA pe 5 iulie 2016

Autoreferat

Adobe PDF document – 5.94 Mb / în română
Adobe PDF document – 5.89 Mb / în română

Cuvinte Cheie

fononi, electroni, transport termic, nanostructuri semiconductoare, nanostrat, nanofir, grafen, inginerie fononică, abordare continuală, dinamica rețelei cristaline.

Adnotare

Referatul științific al tezei de doctor habilitat în științe fizice (prezentată în baza lucrărilor științifice publicate), Chișinău, 2016. Introducere, 4 Capitole, Concluzii generale și recomandări, 176 titluri bibliografice, 91 pagini, 25 figuri, 2 tabele. În baza rezultatelor obținute au fost publicate 150 lucrări științifice, inclusiv o monografie, 2 capitole în monografii, 6 articole de sinteză și 33 articole în revistele cotate de ISI Web of Science, 12 articole în revistele științifice naționale și peste 100 teze la conferințele internaționale și naționale.

Domeniul cercetărilor: fizica nanosistemelor.

Scopul și obiectivele: dezvoltarea teoretică a conceptului ingineriei fononice în nanostructurile semiconductoare multistrat uni- și bidimensionale și în grafen pentru îmbunătățirea conductibilității termice și electrice a lor.

Noutatea științifică și originalitatea: în lucrare este dezvoltată concepția de inginerie fononică în nanostructurile semiconductoare și în grafen, care reprezintă o metodă principial nouă de îmbunătățire a proprietăților termoconductibile și electroconductibile ale nanostructurilor prin dirijarea direcționată a proprietăților fononice ale lor; în cadrul diferitor modele ale oscilațiilor rețelei cristaline au fost cercetate detaliat stările fononice în nanostructurile studiate; a fost dezvoltată teoria transportului de căldură, care explică valorile înalte ale conductibilității termice de rețea a grafenului, cât și dependența puternică a ei de dimensiunile spațiale ale stratului, de concentrația defectelor rețelei cristaline și de calitatea frontierelor stratului.

Importanța teoretică: au fost elaborate modele teoretice exacte ale transportului fononic în nanostructurile semiconductoare multistrat și în grafen; au fost cercetate teoretic și explicate particularitățile proceselor fononice în astfel de structuri.

Importanța aplicativă a rezultatelor obținute este legată de posibilitatea îmbunătățirii caracteristicilor de lucru ale dispozitivelor electronice moderne prin modificarea proprietăților fononice ale lor.

Cuprins


1. INGINERIA FONONICĂ ÎN NANOSTRUCTURI
  • 1.1. Fononii și transportul termic în nanostructurile semiconductoare.
  • 1.2. Fononii și transportul termic în materialele pe bază de grafen.
  • 1.3. Concluzii la Capitolul 1

2. INGINERIA FONONICĂ ÎN NANOSTRUCTURILE BIDIMENSIONALE SEMICONDUCTOARE
  • 2.1. Ingineria spectrului energetic și a vitezelor de grup ale fononilor în nanostructurile semiconductoare bidimensionale
  • 2.1.1. Modelul continual pentru fononi în nanostructurile 2D
  • 2.1.2. Modelele dinamice ale oscilațiilor rețelei cristaline în nanostructurile 2D cu rețea cristalină de tipul „diamant”
  • 2.2. Ingineria fononică a conductibilității termice în structurile multistratificate cu canal interior din siliciu
  • 2.3. Ingineria fononică a mobilității electronilor în nanostructurile 2D cu canal conductibil din Si și GaN
  • 2.4. Concluzii la Capitolul 2

3. INGINERIA FONONICĂ ÎN NANOSTRUCTURILE SEMICONDUCTOARE UNIDIMENSIONALE
  • 3.1. Ingineria spectrului energetic și vitezele de grup ale fononilor în nanofirele din GaN și Si, acoperite cu înveliș
  • 3.1.1. Abordarea continuală pentru fononi în nanofirele dreptunghiulare și cilindrice pe bază de GaN
  • 3.1.2. Modelele dinamice ale oscilațiilor rețelei pentru nanofirele cu celulă elementară de tipul „diamant”
  • 3.2. Ingineria fononică a conductibilității termice în nanofirele pe bază de siliciu
  • 3.3. Concluzii la Capitolul 3

4. INGINERIA FONONICĂ ÎN GRAFEN
  • 4.1. Fononii în grafen
  • 4.2. Conductibilitatea termică de rețea a grafenului
  • 4.3. Conductibilitatea termică fononică în fâșiile de grafen
  • 4.4. Concluzii la Capitolul 4