|
StatutTeza a fost susţinută pe 6 mai 2015 în CSSşi aprobată de CNAA pe 7 iulie 2015 Autoreferat![]() ![]() TezaCZU 621.315.592
|
Cuvinte cheie: structura de benzi, antiferomagnetic, conductivitate, impuritate, luminiscenţă, straturi subţiri, heterojoncţiuni, sensibilitate spectrală.
Scopul tezei constă în studiul complex a proprietăţilor electrice, optice şi de luminescenţă a cristalelor şi straturilor subţiri de Cd1-xMnxTe, determinarea structurii de benzi, a parametrilor electrici şi fotoelectrici în dependenţa de compoziţie şi tipul impurităţilor introduse, determinarea mecanismelor de transport al curentului şi a efectului fotovoltaic în heterojoncţiunile nCdS-pCd1-xMnxTe.
Noutatea şi originalitatea ştiinţifică a tezei constă în efectuarea în premieră a studiului detaliat a structurii de benzi a unui şir de soluţiii solide Cd1-xMnxTe (0≤x≤0,5), dependenţa despicării spin-orbitale a benzii de valenţă în funcţie de compoziţie şi temperatură. În premieră au fost studiate proprietăţile mecanice ale cristalelor Cd1-xMnxTe şi proprietăţile magnetice în funcţie de compoziţie într-un interval larg de temperaturi 1,79÷400 K. A fost cercetată influenţa dopării cu diferite impurităţi (Cd, Te, Cu) asupra proprietăţilor electrice, optice şi de luminescenţă a cristalelor Cd1-xMnxTe. În premieră au fost obţinute heterojoncţiunele nCdS-pCd1-xMnxTe şi cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice.
Studiul efectuat a permis soluţionarea unei probleme ştiinţifice importante: dirijarea cu structura de benzi energetice a cristalelor Cd1-xMnxTe variind concentraţia Mn; dirijarea cu concentraţia purtătorilor de sarcină şi cu tipul de conducţie a cristalelor Cd1-xMnxTe dopîndu-le cu diferite impurităţi; obţinerea heterojoncţiunilor cu fotosensibilitate înaltă care pot fi utilizate pentru fabricarea celulelor solare cu eficienţa 11÷12%.
Semnificaţia teoretică şi valoarea aplicativă a lucrării. Rezultatele cercetărilor efectuate dau posibilitatea de a lămuri specificul proprietăţilor fotoelectrice a semiconductorului Cd1-xMnxTe şi a structurilor de diferite tipuri în baza lor şi legătura cu cîmpurile magnetice exterioare. Compusul semiconductor Cd1-xMnxTe este comod deoarece permite dirijarea după necesitate cu lărgimea benzii interzise, indicile de refracţie, coeficientul de absorbţie ş.a. variind concentraţia manganului şi pot să se schimbe sub acţiunea câmpului magnetic. Atomii de mangan ocupă nodurile reţelei cristaline, ceea ce aduce la formarea unei soluţii solide “ideale”, aceasta a determinat posibilitatea utilizării Cd1-xMnxTe pentru formarea straturilor de barieră în structurile semiconductoare bidimensionale, modulatoarelor optice, diferite dispozitive optoelectronice şi a “spintronicii”.