Comisia de atestare
Comisia de acreditare
Comisiile de experţi
Dispoziţii, instrucţiuni
Acte normative
PREGĂTIREA CADRELOR
Nomenclator
Instituţii
Consilii
Seminare
Teze		 Conducători de doctorat
Deţinători de grad
Doctoranzi
Postdoctoranzi
CNAA logo

 română | русский | english

CNAA / Teze / 2015 / iunie /

Procesele fononice în grafen şi nanostructuri pe baza de siliciu


Autor: Cocemasov Alexandr
Gradul:doctor în Ştiinţe fizice
Specialitatea: 01.04.02 - Fizică teoretică şi matematică
Anul:2015
Conducător ştiinţific: Denis Nica
doctor habilitat, profesor universitar, Universitatea de Stat din Moldova
Instituţia: Universitatea de Stat din Moldova

Statut

Teza a fost susţinută pe 19 iunie 2015 în CSS
şi aprobată de CNAA pe 7 octombrie 2015

Autoreferat

Adobe PDF document – 1.53 Mb / în română
Adobe PDF document – 1.48 Mb / în engleză

Teza

CZU 539.21

Adobe PDF document 5.41 Mb / în engleză
140 pagini

Cuvinte Cheie

fononi, electroni, nanostrat, suprareţea, nanofir, grafen, dinamica reţelei, modulaţie, proprietăţi termice

Adnotare

Teză de doctor în ştiinţe fizice, Chişinău, 2015. Introducere, 4 Capitole, Concluzii generale şi recomandări, 200 Titluri bibliografice, 140 Pagini, 66 Figuri, 7 Tabele. Rezultatele prezentate în teză sunt publicate în 33 de lucrări ştiinţifice. Domeniul de studiu: fizica nanosistemelor.

Scopul şi obiectivele: investigarea proceselor fononice în grafen (cu un singur, două, trei straturi şi grafen ”twisted”) şi nanostructuri pe baza de siliciu (nanostraturi din Si, suprareţele Si/Ge şi nanofire modulated pe baza de Si), şi căutarea metodelor de control precondiţionat a proprietăţilor lor fononice.

Noutatea şi originalitatea ştiinţifică: a fost dezvoltat modelul Born – von Karman a dinamicii reţelei cristaline pentru nanostraturi, suprareţele planare, nanofire cu secţiunea transversală modulată şi grafen multistrat cu aranjarea cristalină diferită; a fost studiată influenţa materialului de înveliş şi modulaţiei secţiunii transversale asupra proceselor fononice şi electronice în nanofirele pe baza de Si; a fost dezvoltată o metodă teoretică pentru calcularea timpului de relaxare în procesele de împrăştiere a fononilor pe interfeţele suprareţelelor Si/Ge şi a fost studiată influenţa calităţii interfeţelor Si/Ge asupra proprietăţilor fononice şi termice al acestor suprareţele; a fost studiată influenţa aranjării cristaline asupra proceselor fononice şi termice în grafenul multistrat.

Problema ştiinţifică importantă soluţionată: a fost demonstrată şi investigată teoretic posibilitatea de control a proceselor fononice în grafenul bistrat prin rotaţia straturilor de grafen unul împotriva altuia în jurul axei perpendiculare către planul straturilor. A fost dezvoltat modelul teoretic a dinamicii reţelei cristaline în grafenul bistrat cu rotaţia dintre straturi (”twisted”).

Semnificaţia teoretică: au fost dezvoltate metode teoretice de control precondiţionat a proceselor fononice în grafen şi nanostructuri pe baza de siliciu. Valoarea aplicativă: implementarea practică a rezultatelor teoretice obţinute poate contribui la fabricarea a nanostructurilor cu proprietăţi fononice precondiţionate.

Cuprins


1. PHONON AND ELECTRON PROCESSES IN GRAPHENE AND Si-BASED NANOSTRUCTURES
  • 1.1. Electron processes in Si-based nanostructures
  • 1.2. Theoretical models for phonons in nanostructures
  • 1.3. Phonon processes in Si-based nanostructures and graphene
  • 1.4. Conclusions to chapter 1 and objectives of the Thesis

2. PHONON PROCESSES IN Si NANOLAYERS AND PLANAR Si/Ge SUPERLATTICES
  • 2.1. Born – von Karman lattice dynamics model for nanolayers and planar superlattices
  • 2.2. Phonon processes in Si nanolayers
  • 2.2.1. Phonon energy spectra and scattering processes
  • 2.2.2. Phonon thermal conductivity
  • 2.3. Phonon processes in planar Si/Ge superlattices
  • 2.3.1. Phonon energy spectra
  • 2.3.2. Phonon scattering processes. Scattering on Si/Ge interface
  • 2.3.3. Phonon thermal conductivity
  • 2.4. Conclusions to chapter 2

3. PHONON AND ELECTRON PROCESSES IN Si-BASED MODULATED NANOWIRES
  • 3.1. Effective mass method and electron energy spectra in Si/SiO2 core/shell modulated nanowires
  • 3.2. Phonon processes in Si and Si/Ge core/shell modulated nanowires
  • 3.3. Electron-phonon interaction in Si-based modulated nanowires
  • 3.4. Conclusions to chapter 3
4. PHONON PROCESSES IN MULTILAYER GRAPHENE WITH DIFFERENT ATOMIC STACKING
  • 4.1. Theoretical model for phonons in multilayer graphene
  • 4.2. Phonon processes in single-layer, two-layer, three-layer graphene and graphite
  • 4.2.1. Energy spectra and vibrational properties
  • 4.2.2. Phonon scattering processes and thermal properties
  • 4.3. Twisted two-layer graphene. Engineering phonons with atomic plane rotations
  • 4.4. Conclusions to chapter 4

GENERAL CONCLUSIONS AND RECOMMENDATIONS