Comisia de atestare
Comisia de acreditare
Comisiile de experţi
Dispoziţii, instrucţiuni
Acte normative
Nomenclator
Instituţii
Consilii
Seminare
Teze
Conducători de doctorat
Deţinători de grad
Doctoranzi
Postdoctoranzi
CNAA logo

 română | русский | english

CNAA / Teze / 2015 / iunie /

Procesele fononice în grafen şi nanostructuri pe baza de siliciu


Autor: Cocemasov Alexandr
Gradul:doctor în Ştiinţe fizice
Specialitatea: 01.04.02 - Fizică teoretică şi matematică
Anul:2015
Conducător ştiinţific: Denis Nica
doctor habilitat, conferenţiar cercetător, Universitatea de Stat din Moldova
Instituţia: Universitatea de Stat din Moldova

Statut

Teza a fost susţinută pe 19 iunie 2015 în CSS
şi aprobată de CNAA pe 7 octombrie 2015

Autoreferat

Adobe PDF document1.53 Mb / în română
Adobe PDF document1.48 Mb / în engleză

Teza

CZU 539.21

Adobe PDF document 5.41 Mb / în engleză
140 pagini


Cuvinte Cheie

fononi, electroni, nanostrat, suprareţea, nanofir, grafen, dinamica reţelei, modulaţie, proprietăţi termice

Adnotare

Teză de doctor în ştiinţe fizice, Chişinău, 2015. Introducere, 4 Capitole, Concluzii generale şi recomandări, 200 Titluri bibliografice, 140 Pagini, 66 Figuri, 7 Tabele. Rezultatele prezentate în teză sunt publicate în 33 de lucrări ştiinţifice. Domeniul de studiu: fizica nanosistemelor.

Scopul şi obiectivele: investigarea proceselor fononice în grafen (cu un singur, două, trei straturi şi grafen ”twisted”) şi nanostructuri pe baza de siliciu (nanostraturi din Si, suprareţele Si/Ge şi nanofire modulated pe baza de Si), şi căutarea metodelor de control precondiţionat a proprietăţilor lor fononice.

Noutatea şi originalitatea ştiinţifică: a fost dezvoltat modelul Born – von Karman a dinamicii reţelei cristaline pentru nanostraturi, suprareţele planare, nanofire cu secţiunea transversală modulată şi grafen multistrat cu aranjarea cristalină diferită; a fost studiată influenţa materialului de înveliş şi modulaţiei secţiunii transversale asupra proceselor fononice şi electronice în nanofirele pe baza de Si; a fost dezvoltată o metodă teoretică pentru calcularea timpului de relaxare în procesele de împrăştiere a fononilor pe interfeţele suprareţelelor Si/Ge şi a fost studiată influenţa calităţii interfeţelor Si/Ge asupra proprietăţilor fononice şi termice al acestor suprareţele; a fost studiată influenţa aranjării cristaline asupra proceselor fononice şi termice în grafenul multistrat.

Problema ştiinţifică importantă soluţionată: a fost demonstrată şi investigată teoretic posibilitatea de control a proceselor fononice în grafenul bistrat prin rotaţia straturilor de grafen unul împotriva altuia în jurul axei perpendiculare către planul straturilor. A fost dezvoltat modelul teoretic a dinamicii reţelei cristaline în grafenul bistrat cu rotaţia dintre straturi (”twisted”).

Semnificaţia teoretică: au fost dezvoltate metode teoretice de control precondiţionat a proceselor fononice în grafen şi nanostructuri pe baza de siliciu. Valoarea aplicativă: implementarea practică a rezultatelor teoretice obţinute poate contribui la fabricarea a nanostructurilor cu proprietăţi fononice precondiţionate.

Cuprins


1. PHONON AND ELECTRON PROCESSES IN GRAPHENE AND Si-BASED NANOSTRUCTURES
  • 1.1. Electron processes in Si-based nanostructures
  • 1.2. Theoretical models for phonons in nanostructures
  • 1.3. Phonon processes in Si-based nanostructures and graphene
  • 1.4. Conclusions to chapter 1 and objectives of the Thesis

2. PHONON PROCESSES IN Si NANOLAYERS AND PLANAR Si/Ge SUPERLATTICES
  • 2.1. Born – von Karman lattice dynamics model for nanolayers and planar superlattices
  • 2.2. Phonon processes in Si nanolayers
  • 2.2.1. Phonon energy spectra and scattering processes
  • 2.2.2. Phonon thermal conductivity
  • 2.3. Phonon processes in planar Si/Ge superlattices
  • 2.3.1. Phonon energy spectra
  • 2.3.2. Phonon scattering processes. Scattering on Si/Ge interface
  • 2.3.3. Phonon thermal conductivity
  • 2.4. Conclusions to chapter 2

3. PHONON AND ELECTRON PROCESSES IN Si-BASED MODULATED NANOWIRES
  • 3.1. Effective mass method and electron energy spectra in Si/SiO2 core/shell modulated nanowires
  • 3.2. Phonon processes in Si and Si/Ge core/shell modulated nanowires
  • 3.3. Electron-phonon interaction in Si-based modulated nanowires
  • 3.4. Conclusions to chapter 3
4. PHONON PROCESSES IN MULTILAYER GRAPHENE WITH DIFFERENT ATOMIC STACKING
  • 4.1. Theoretical model for phonons in multilayer graphene
  • 4.2. Phonon processes in single-layer, two-layer, three-layer graphene and graphite
  • 4.2.1. Energy spectra and vibrational properties
  • 4.2.2. Phonon scattering processes and thermal properties
  • 4.3. Twisted two-layer graphene. Engineering phonons with atomic plane rotations
  • 4.4. Conclusions to chapter 4

GENERAL CONCLUSIONS AND RECOMMENDATIONS