Comisia de atestare
Comisia de acreditare
Comisiile de experţi
Dispoziţii, instrucţiuni
Acte normative
Nomenclator
Instituţii
Consilii
Seminare
Teze
Conducători de doctorat
Deţinători de grad
Doctoranzi
Postdoctoranzi
CNAA logo

 română | русский | english


Spectroscopia optică a sticlelor calcogenice (As4S3Se3)1-xSnx


Autor: Iaseniuc Oxana
Gradul:doctor în ştiinţe fizico-matematice
Specialitatea: 01.04.10 - Fizica şi ingineria semiconductorilor
Anul:2015
Conducător ştiinţific: Mihail Iovu
doctor habilitat, profesor cercetător, Institutul de Fizică Aplicată al AŞM
Instituţia: Institutul de Fizică Aplicată al AŞM

Statut

Teza a fost susţinută pe 20 noiembrie 2015 în CSS
şi aprobată de CNAA pe 22 decembrie 2015

Autoreferat

Adobe PDF document1.71 Mb / în română
Adobe PDF document1.36 Mb / în rusă

Teza

CZU 621.315.592.539.213

Adobe PDF document 9.57 Mb / în rusă
0 pagini


Cuvinte Cheie

sticle calcogenice, straturi amorfe, absorbţie optică, indice de refracţie, difracţia razelor Х, spectroscopia Raman, medii de înregistrare

Adnotare

Teza este scrisă în limba rusă şi constă din introducere, 4 capitole, concluzii şi recomandări, bibliografie, din 154 titluri bibliografice, 113 pagini de text de bază, 95 figuri şi 6 tabele. Rezultatele obţinute sunt publicate în 24 lucrări ştiinţifice (din care 6 sunt articole).

Scopul lucrării: studiul proprietăţilor fundamentale a sticlelor calcogenice şi straturilor amorfe (As4S3Se3)1-xSnx, determinarea parametrilor optici şi modificarea lor sub acţiunea factorilor externi, cercetarea procesului de înregistrare a informaţiei optice.

În rezultatul efectuării cercetărilor a fost rezolvată problema ştiinţifică principală, care constă în dirijarea proprietăţilor fizice şi optice a sticlelor calcogenice şi straturilor amorfe (As4S3Se3)1-xSnx prin schimbarea compoziţiei şi sub acţiunea factorilor externi.

Noutatea şi originalitatea ştiinţifică a rezultatelor obţinute
În teză, în premieră, este prezentat un studiu al proprietăţilor fizice, mecanice, optice, fotoelectrice şi holografice ale sticlelor calcogenice şi al straturilor amorfe (As4S3Se3)1-xSnx. S-a observat, că doparea sticlelor calcogenice (As4S3Se3)1-xSnx cu impurităţi de staniu, îndeosebi la dopare cu staniu cu x=0,04, reduce esențial intensitatea unor benzi de absorbţie S-H și H2O în domeniul infraroșu al spectrului. Creşterea concentraţiei de Sn până la x=0,10 deplasează modele vibraţionale în spectrele Raman situate la frecvenţele ν=236 сm-1 (piramide AsSe3/2) şi ν=345 сm-1 (piramide AsS3/2) în domeniul frecvenţelor joase.

S-a stabilit că odată cu creşterea concentraţiei de Sn în sticlele calcogenice (As4S3Se3)1- xSnx are loc deplasarea pragului de absorbţie fundamentală în domeniul roşu al spectrului. Din spectrele de absorbţie optică au fost calculate valorile benzii optice interzise Eg opt, și stabilită dependenţa ei de compoziţia stratului amorf. Din spectrele de transmisie optică au fost calculate valorile coeficientului de absorbţie α, al indicelui de refracţie n, a energiei de dispersie E0, și a forţei oscilatorului dielectric Ed, şi de asemenea a gradului de modulare a parametrilor optici sub acţiunea luminii cu energia hν≥ Eg opt.

A fost studiat „in-situ” procesul de relaxare a transmisiei optice T(t)/T(0)=f(t) pentru straturile amorfe (As4S3Se3)1-xSnx la iluminare cu laserul He-Ne, care poate fi descris cu funcţia exponenţială întinsă T(t)/T(0)=A0+Aexp[-(t-t0)/τ](1-β).

În straturile amorfe (As4S3Se3)1-xSnx au fost înregistrate reţele de difracţie prin metode holografice şi cu ajutorul fasciculului de electroni. În procesul de înregistrare a reţelelor de difracţie cu ajutorul fasciculului de electroni, la valori înalte ale curenţilor fasciculului de electroni, a fost demonstrată modularea reliefului pe suprafață.

Rezultatele obţinute în teză prezintă interes pentru știința materialelor semiconductoare amorfe. Straturile amorfe a sticlelor calcogenice studiate (As4S3Se3)1-xSnx pot fi utilizate în holografie, în calitate de medii de înregistrare, pentru înregistrarea informaţiei optice şi în optica difractivă, în calitate de structuri difractive scrise cu ajutorul fasciculului de electroni.

Cuprins


1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.
  • 1.1 Определение некристаллических материалов. Методы получения халькогенидных стекол и аморфных слоев.
  • 1.2 Элементы структуры халькогенидных стекол.
  • 1.3 Оптические и фотоэлектрические свойства халькогенидных стекол.
  • 1.4 Фотоиндуцированные эффекты в аморфных слоях халькогенидных стекол.
  • 1.5 Элементы и оптоэлектронные приборы на основе аморфных полупроводников.
  • 1.6 Выводы по главе 1 и постановка задачи.

2. ПОЛУЧЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ФИЗИЧЕСКИХ И СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИХ СВОЙСТВ.
  • 2.1. Получение халькогенидных стекол и тонких пленок (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.1.1 Получение халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.1.2 Получение халькогенидных тонких пленок (As4S3Se3)1-xSnx
  • 2.2. Исследование структуры халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx с помощью дифракции X- лучей.
  • 2.3. Микротвердость халькогенидных стекол (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.4. Оптическая спектроскопия халькогенидных стекол и аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.5. Спектры стационарной фотопроводимости аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 2.6. Рамановская спектроскопия.
  • 2.7. Выводы по главе 2.

3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ СЛОЕВ (As4S3Se3)1-xSnx
  • 3.1. Оптическое краевое поглощение.
  • 3.2. Определение оптических констант аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx из спектров оптического пропускания.
  • 3.3. Фотоиндуцированное поглощение в аморфных слоях (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 3.4. Описание механизма фотоиндуцированного поглощения в аморфных слоях (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 3.5. Выводы по главе 3.

4. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕЭФФЕКТЫ В АМОРФНЫХ СЛОЯХ (As4S3Se3)1-xSnx
  • 4.1. Влияние освещения и термической обработки на оптические спектры пропускания и кинетику фотоиндуцированного поглощения аморфных слоев (As4S3Se3)1-xSnx и на модифицирование оптических констант.
  • 4.2. Регистрация оптической информации голографическоим методом с помощью лазера в аморфных слоях (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 4.3. Регистрация дифракционных решеток с помощью электронного луча в аморфных слоях (As4S3Se3)1-xSnx.
  • 4.4. Выводы по главе 4.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕКОМЕНДАЦИИ