Comisia de atestare
Comisia de acreditare
Comisiile de experţi
Dispoziţii, instrucţiuni
Acte normative
Nomenclator
Instituţii
Consilii
Seminare
Teze
Conducători de doctorat
Deţinători de grad
Doctoranzi
Postdoctoranzi
CNAA logo

 română | русский | english

CNAA / Teze / 2010 / martie /

Obţinerea, doparea şi cercetarea spectrului energetic al impurităţilor monocristalelor seleniurii de zinc de structură perfectă


Autor: Colibaba Gleb
Gradul:doctor în ştiinţe fizico-matematice
Specialitatea: 01.04.10 - Fizica şi ingineria semiconductorilor
Anul:2010
Conducător ştiinţific: Dmitrii Nedeoglo
doctor habilitat, profesor universitar, Universitatea de Stat din Moldova
Instituţia: Universitatea de Stat din Moldova
CSS: DH 30-01.04.10-23.04.09
Universitatea de Stat din Moldova

Statut

Teza a fost susţinută pe 31 martie 2010 în CSS
şi aprobată de CNAA pe 3 iunie 2010

Autoreferat

Adobe PDF document0.52 Mb / în rusă
Adobe PDF document0.48 Mb / în română

Cuvinte Cheie

eleniură de zinc, creştere a cristalelor, dopare, azot, natriu, fotoluminescenţă, electroconductibilitate, defecte impuritare şi proprii, exciton, compex exciton-impuritate

Adnotare

Teza e scrisă în limba rusă şi constă din introducere, cinci capitole, concluzii generale şi lista lucrărilor citate. Lucrarea conţine 116 раgini de text, 58 figuri, 8 tabele, asigurarea bibliografică conţine 123 denumiri. Rezultatele obţinute sunt publicate în 12 lucrări ştiinţifice.

Teza de doctor este consacrată studierii influenţei factorilor tehnologici asupra perfecţiunii structurale şi purităţii cristalelor de ZnSe crescute prin metoda transportului din fază cu vapori. Au fost efectuate cercetări ale proprietăţilor electrice şi luminescente ale cristalelor de ZnSe dopate cu I, Al, N, H, Cl, Ca şi Na.

În rezultatul elaborării tehnologiei de creştere a monocristalelor de ZnSe a fost stabilit, că folosirea profilului de temperatură abrupt propus, cu minimul localizat în regiunea hotarului între germene şi partea de jos a fiolei precum şi un gradient de temperatură în regiunea de cristalizare de până la 0,6C/cm şi a temperaturii de creştere de 9801060С dă posibilitate de a creşte monocristale cu volumul de până la 3 cm3, fără hotare între subfaţete şi micle, cu densitatea dislocaţiilor de 030 mm-2.

A fost stabilit că incorporarea impurităţii de azot în subreţeaua Se duce la formarea centrelor acceptoare NSe, cu energia de activare 1045 meV, care compensează imputitatea donoară necontrolabilă în cristalele de n-ZnSe şi schimbă probabilitatea canalelor de recombinare radiativă cu participarea impurităţilor necontrolabile.

Introducerea natriului în subreţeaua de Zn duce la formarea centrelor acceptoare NaZn, cu energia de activare 1053 meV, precum şi a centrelor donoare Nai, NaZnVSe şi NaiVZn cu energiile de activare 183 meV, 353 meV şi 529 meV corespunzător, care determină radiaţia în spectrul de FL de prag a cristalelor de ZnSe. Excesul de selen în cristalele de ZnSe dopate cu impuritatea de Na în procesul de creştere, stabilizează termodinamic centrele acceptoare de neechilibru NaZn.